pn结势垒电容和扩散电容是如何引起的,两者的区别是什么.doc

1、Pn结势垒电容和扩散电容是如何引起的，两者主要区别是什么？ 答：势垒电容：势垒区是积累空间电荷的区域，当电压变化时，就会引起积累在势垒区的空间电荷的变化，这样所表现出的电容是势垒电容。 扩散电容：为了形成正向电流（扩散电流），注入P 区的少子（电子）在P 区有浓度差，越靠近PN结浓度越大，即在P 区有电子的积累。同理，在N区有空穴的积累。正向电流大，积累的电荷多。这样所产生的电容就是扩散电容CD。 PN结势垒电容主要研究的是多子，是由多子数量的变化引起电容的变化。而扩散电容研究的是少子，外加正向电 压时，以扩散电容为主，外加反向电 压时，以势垒电容为主。 2、对于一般的BJT：1）器件工作的电流主要是什么性质的电流 2）原则上应该从哪些方面考虑来提高BJT的电流放大系数？ 答：1）电流主要是交流电流； 2）原则上应该从内部条件和外部条件来考虑提高BJT的电流放大系数。内部条件包括发射区的掺杂浓度要高 、基区要很薄且掺杂浓度很低和集电区掺杂浓度要低于发射区，且面积要大。外部条件就是要考虑BJT的放大偏置等因素。 3、简要的回答并说明理由：①p-n结的势垒高度与掺杂浓度的关系怎样？②p-n结的势垒高度与温度的关系怎样？③p-n结的势垒高度与外加电压的关系怎样？ 【解答】①因为平衡时p-n结势垒（内建电场区）是起着阻挡多数载流子往对方扩散的作用，势垒高度就反映了这种阻挡作用的强弱，即势垒高度表征着内建电场的大小；当掺杂浓度提高时，多数载流子浓度增大，则往对方扩散的作用增强，从而为了达到平衡，就需要更强的内建电场、即需要更高的势垒，所以势垒高度随着掺杂浓度的提高而升高（从Fermi能级的概念出发也可说明这种关系：因为平衡时p-n结的势垒高度等于两边半导体的Fermi能级的差，当掺杂浓度提高时，则Fermi能级更加靠近能带极值[n型半导体的更靠近导带底，p型半导体的更靠近价带顶]，使得两边Fermi能级的差变得更大，所以势垒高度增大）。 ②因为温度升高时，半导体的Fermi能级将远离能带极值，所以p-n结两边半导体的Fermi能级的差变小，所以势垒高度将随着温度的升高而降低。 ③当p-n结上加有正向电压时，即使势垒区中的总电场减弱，则势垒高度降低；当加有反向电压时，即使势垒区中的总电场增强，则势垒高度增大。