第1章_晶体二极管文档 分享 学习.pptVIP

* PN 结——伏安特性方程式 PN 结正、反向特性，可用理想的指数函数来描述： 热电压 ? 26 mV(室温) 其中： 　　IS 为反向饱和电流，其值与外加电压近似无关，但受温度影响很大。 正偏时： 反偏时： * PN 结——伏安特性曲线 ID(mA) V(V) VD(on) -IS Si Ge VD(on) = 0.7 V IS = (10-9 ~ 10-16) A 硅 PN 结 VD(on)= 0.25 V 锗 PN 结 IS = (10-6 ~ 10-8) A V VD(on)时 随着V ? 正向R 很小 I ?? PN 结导通； V VD(on)时 IR 很小(IR ? -IS) 反向R 很大 PN 结截止。 温度每升高 10℃，IS 约增加一倍。 温度每升高 1℃， VD(on) 约减小 2.5 mV。 * 1.2.3　PN 结的击穿特性 |V反|? = V(BR)时， ? IR 急剧??? ， ? PN 结反向击穿。 雪崩击穿 齐纳击穿 PN 结掺杂浓度较低(lo 较宽) 发生条件 外加反向电压较大( 6 V) 形成原因： 碰撞电离。 V(BR) ID(mA) V(V) 形成原因： 场致激发。 发生条件 PN 结掺杂浓度较高(lo 较窄) 外加反向电压较小( 6 V) * 因为 T ? ? 载流子运动的平均自由路程