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电工电子技术与技能期中试卷 学号 姓名 一、填空题 1、物质按导电能力的大小可以分为 , , 二极管属于 2、晶体二极管加一定的正向电压时 ，加反向电压时 ，这一导电特性，称为晶体二极管的 。 3、硅管的门坎电压约为 V，锗管约为 V；硅管的导通电压约为 V，锗管约为 V。 4、二极管的正向电阻 ,反向电阻 . 5、PN结的主要特性是 。 6、晶体三极管按半导体材料可分为 管和 管；按PN结的组合方式不同可分为 型和 型。 7、晶体三极管实现电流放大作用的偏置条件是：发射结 、集电结 。电流分配关系是 。 8、通常把晶体三极管的输出特性曲线分成三个区域，它们分别是 、和 。 9、晶体三极管集电极输出电流IC=9mA，该管的电流放大系数为β=50，则输入电流IB= mA。 10、晶体三极管的穿透电流ICEO随温度的升高而增大，由于锗三极管的穿透电流比硅三极管 ，所以热稳定性 三极管较好。 二、判断题： 1、晶体三极管具有能量放大作用。（ ） 2、当发射结正偏，集电结反偏时，晶体三极管工作在放大状态。（ ） 3、当集电极电流IC值大于集电极最大允许电流ICM时，晶体三极管一定损坏。（ ） 4、二极管和三极管都属于非线性器件。（ ） 5、晶体三极管的集电极和发射极可以对调使用。（ ） 6、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。（ ） 7、晶体三极管的电流放大系数β随温度的变化而变化，温度升高，β减少。（ ） 8、对于NPN型三极管，当VBE 〉0时，VBE 〉VCE ，则该管工作状态处于饱和状态。（ ） 三、选择题 1、在P型半导体中（ ） A．空穴是多数载流子，电子是少数载流子 B．空穴的数量略多于电子 C．电子是多数载流子，空穴是少数载流子 D．没有电子 2、二极管两端加上正向电压时（ ） A．一定导通 B．超过死区电压才能导通 C．超过0.7伏才导通 D．超过0.3伏才导通 3、用万用表的”R×10”挡和”R×100”挡测量同一个二极管的正向电阻,两次测量得的值分别是R1和R2,则二者相比（ ） A. R1R2 B. R1=R2 C.R1R2 D.说不定哪个大 4、如图给出了硅二极管和锗二极管的伏安特性曲线，其中锗二极管的特性曲线是（ ） A．AOD B．AOC C．BOC D．BOD 5、测得四个NPN型硅管的极间电压如下，则（ ）管处于放大状态。 A、VBE=—8V，VCE=6V B、VBE =—0.7V，VCE =0.43V C、VBE =0.7V，VCE =6V D、 VBE =0.7V，VCE =—2V 6、晶体三极管的两个PN结都反偏时，则晶体三极管所处的状态是（ ） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、无法确定 7. 晶体三极管的发射结正偏，集电结正偏时，晶体三极管工作在什么状态。（ ） A、放大状态 B、饱和状态 C、截止状态 D、无法确定 8．三极管工作在放大状态下，具有一个 特性。（ ） A、单向导电性 B、输出特性 C、恒流特性 D、无法确定 四、分析计算题 1、分析图示电路中当开关S闭合后，H1和H2两个指示灯，哪一个可能发光？并简述理由。 2、已知某三极管的IB1=10μA时，ICl=0.88mA，当IB2=40μA时，IC2=2.38mA，求该三极管的β值为多少? 3、锗三极管，β=50，IB=10μA，试求IC = ? 4、如下图所示电路，设VBE =0.7V，求IB=？ IC = ？ VCE= ？