半导体LED原理共78页.pptVIP

主要内容 半导体物理简介 发光二极管(LED) 半导体激光器(LD)  4.1光源的物理基础 半导体物理 原子的能级、能带以及电子跃迁 自发輻射与受激輻射 半导体本征材料和非本征材料  孤立原子的能级 围绕原子核旋转的电子能量不能任意取值,只能取特定的离 散值(离散轨道),这种现象称为电子能量的量子化。 原子核 低能级 高能级 电子 电子优先抢占低能级  N个原子构成晶体时的能级分裂 N=4 ●●N=9 原子间距 原子间距 当N很大时能级 N→ 分裂成近似连续 的能带  能带的分类 满带:各个能级都被电子填满的能带 禁带:两个能带之间的区域——其宽度直接决定导电性 价带:由最外层价电子能级分裂后形成的能带 空带:所有能级都没有电子填充的能带 禁带 导带未被电子占满的价带称为导带 价带 禁带 禁带的宽度称为带隙 满带  导体、绝缘体和半导体 导体 绝缘体: (导)价带电子 无价带电子 3~6eV 禁带太宽 半导体 满带电子激励 价带充满电子 成为导带电子 禁带较窄 满带留下空穴 外界能量激励  光作用下的跃迁和辐射 E-E=h EI (a)受激跃迁 Er E h EI (b)自发辐射:非相千光(c)受激辐射:相千光  半导体粒子分布状态 N1:处于低能级的粒子数