半导体激光器半导体激光器波长.pptVIP

6.3.1半导体激光器工作原理和基本结构 半导体激光器是向半导体ⅣN结注入电流,实现粒子 数反转分布,产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈, 实现光放大而产生激光振荡的。 光受激辐射、发出激光必须具备三个要素: 1、激活介质经受激后能实现能级之间的跃迁; 2、能使激活介质产生粒子数反转的泵浦装置; 3、放置激活介质的谐振腔,提供光反馈并进行放大, 发出激光。  1.受激辐射和粒子数反转分布 有源器件的物理基础是光和物质相互作用的 效应 在物质的原子中,存在许多能级,最低能 级E1称为基态,能量比基态大的能级E;(i=2,3 4.)称为激发态。(热力学平衡状态下,在较低 能级上比较高能级上存在较多的电子) 电子在低能级E的基态和高能级E2的激发态 之间的跃迁有三种基本方式:受激吸收(本征 吸收)自发辐射受激辐射  初态 终态 (a)自发辐射 光子的特点:非相干光  初态 终态 b)受激辐射 光子的特点:相干光  初态 -·终春 E1 终态E 初态 (b)受激辐射 (c)受激吸收 产生激光的必要条件一:受激辐射占主导地位  (1)自发辐射 在高能级E2的电子是不稳定的,即使没有外界的作用,也 会自动地跃迁到低能级E1上与空穴复合,释放的能量转换为光子 辐射出去,这种跃迁称为自发辐射,见图6-15(a)。 (2)受激辐射 在高能级E2的电子,受到入射光的作用,被迫跃迁到低能级 上与空穴复合,释放的能量产生光辐射,这种跃迁称为受激辐 射,见图6-15(b)。 (3)受激吸收 在正常状态下,电子处于低能级E1,在入射光作用下,它 会吸收光子的能量跃迁到高能级E2上,这种跃迁称为受激吸收 电子跃迁后,在低能级留下相同数目的空穴,见图6-15(c)  受激辐射和自发辐射区别在于是否有外来光子的参与,且产生 的光的特点很不相同。 受激辐射光的频率、相位、偏振态和传播方向与入射光相 同,这种光称为相干光。 自发辐射光是由大量不同激发态的电子自发跃迁产生的, 其频率和方向分布在一定范围内,相位和偏振态是混乱的,这 种光称为非相干光。 受激辐射和受激吸收的区别与联系 受激辐射是受激吸收的逆过程。电子在E和E2两个能级之 间跃迁,吸收的光子能量或辐射的光子能量都要满足波尔条件, 即 E-E=h u 式中,h=6.628×1034J·s,为普朗克常数,υ为吸收或辐射的 光子频率。  产生受激辐射和产生受激吸收的物质是不同的。设在单 位物质中,处于低能级E1和处于高能级E2E2E1)的原子数分别 为N1和N2。 当系统处于热平衡状态时,存在下面的分布 Mep(、 E kT 式中,k=1.381×1023J/K,为波尔兹曼常数,T为热力学温度。 由于(E2E1)0,T0,所以在这种状态下,总是N1N2。这是 因为电子总是首先占据低能量的轨道。  受激吸收和受激辐射的速率分别比例于N1和N2,且比例 系数(吸收和辐射的概率)相等 如果N1N2,即受激吸收大于受激辐射。当光通过这种物 质时,光强按指数衰减,这种物质称为吸收物质。 如果N2N1,即受激辐射大于受激吸收,当光通过这种物 质时,会产生放大作用,这种物质称为激活物质。 N2N的分布,和正常状态NN2)的分布相反,所以称为 粒子(电子)数反转分布 问题:如何得到粒子数反转分布的状态呢?  导带 导带 ●●●●●● 价带 价带 正常分布 反转分布 产生激光的必要条件二:粒子数反转分布