金属化学气相外延.docVIP

物的缺点是 价格昂贵。③在 图形衬底上或在聚焦 离子中 选择 生长化合物 半导体薄膜材料。 选择外延是一种直接 控制横向尺寸的 外延方法。它可以在亚微米级 水平上从 实现 典型的 平面结构沉积至完成任意横向侧面沉 积。MOVPE在 本质上通常是平面结构生长的。 但如果应用了卤化物为基的MO源，例如(CZHS) GaCI和(CZHS)ZAICI，则可以进行广阔的生长条 件范围内的GaAs和GaAIAs的选择外延。这样 形成的小 面积、亚微米的选择 异质结构表明，它是 选择外延在横向限定生长 结构中最早应用的。③利 用 应变层在超出晶格匹配的体系中扩大外延材料的 生长和应用。这方面 原子层外延(ALE)是制备应 变层超晶格(SLS)结构的有力手段，因为ALE可 以被逐层生长 模型的自限制 机理控制为单原子层生 长。④生长新的化合物材料体系，例如GalnAssb 和GaAIA息Sb，InAssb，GalnP和AIGalnP， GaN和AIN，SIGe，Znse和CdZnTe/ZnTe以 及HgCdTe/CdTe等。此外，MOVPE也用于试 制 高温超导薄膜。由于MOVPE和LPE一样， 需要 足够的 相图， 溶解度和要求与衬底的晶格匹配，因此 MOVPE的高温超导薄膜生长 过程 比较复杂，使之只 获得 部分的成功。MOVPE生长高温超导薄膜的 质量 较高和生长 速率较快。今后在这方面尚需改进 MOVPE 技术， 优化MO源和了解MO源的 分解和表 面 反应等。在MOVPE材料制成的新器件中，主要有 面 发光 激光器、短 波长(0.62一0.67召m)的GalnP/ GaAllnP发光管和激光器、应变 量子阱激光器和 量子 阱 红外探测器等。(彰瑞伍) 表l几种主要VPE的比较 ┌───┬───────────┬───────────┐ │方法 │优点 │缺点 │ ├───┼───────────┼───────────┤ │CLVPE │简单 │不能制备含AI化合物， │ │ │高纯度 │制备Sb化物困难;) │ │ │ │20人的 界面 宽度源有 毒性│ │ │ │如AsC13 │ ├───┼───────────┼───────────┤ │HVPE │已 发展为 生产规模 │不能制备Al化物，制备 │ │ │ │sb化物困难;源有毒性， │ │ │ │如AsH3等;界面为梯 │ │ │ │度;复杂的反应管和复杂 │ │ │ │过程;控制困难’ │ ├───┼───────────┼───────────┤ │MOVPE │ 操作灵活性和可变性 │源的价格贵 │ │ │界面 突变，可制作微结构│源的毒性大、 │ │ │材料，界面 复合速率低 │ │ │ │可以选择外延 │ │ │ │外延层均匀，具生产规模│ │ │ │ 反应器较简单 │ │ └───┴───────────┴───────────┘ MOCVD设备的改进主要是为了获得大面积和高 均匀性的外延材料。已提出使用多 通道 气体注入器组 成的大面积入口装置和径向流的 平面反应器等。垂直 MOCVD设备中使用的多通道气体注入器的装置简图 见图1 氢化物 载流氢 ┌───────┐ │多通道气体 开关│ └───────┘ ┌─┬─┬─┬─┬─┐ │_3│2 │l │2 │3 │ └─┴─┴─┴─┴─┘ ┌───────────┐ │支座 │ └───────────┘ 图l多通道注入器的垂直式MOCVD装置示意 图示为多通道气体注入器的 截面，按注入器的径向 位置分为3组。已用这种装置生长了单片、多片和不同 组分的InGaAs。其厚度均匀性对2寸圆片为士1%;3 寸圆片为士2%;3片2寸圆片为士3%。 光致发光谱 (PL)波长的 标准 偏差为1.5至4nm，晶格失配对单片 或多片都为士 100 ppm。这些 说明GalnAs的组分也是 均匀的。 为了 抑制m一V/si体系材料外延层的微裂现象， 己采用反应器的MOCVD 系统(图2)。在该系统中， 一个反应室用作衬底Si的 表面处理，另一个反应室用 作生长外延层。已生长的AIAs/GaAs 低温 缓冲层(LTB) 覆盖在Si表面上比一般的GaAs低温缓冲层更有效， 块状 缺陷 密度显著减少，并获得了没有裂缝的GaAs/ Si材料其中GaAs厚度超过5尽m。 ┌───┐ │气体输│ ┌───────┐ │送系统│ │〕J」控加漆统 │ └───┘ │排气 │ └───────┘ ┌─────┐ │「三亘竺曰│ ├─────┤ │ 样品室2 │ │昌_昌 │ └─────┘ ┌──┐ │TMP