半导体物理学第五章习题答案.docxVIP

第五章习题 1. 在一个 n 型半导体样品中，过剩空穴浓度为 1013cm-3, 空穴的寿命为 100us。 计算空穴的复合率。 已知： p 1013 / cm 3 , 100 s 求： U ？ 解：根据 p U 得： U p1013 6 1017 / cm3 s 100 10 2. 用强光照射 n 型样品，假定光被均匀地吸收，产生过剩载流子，产生率为 ,空 穴寿命为。 1）写出光照下过剩载流子所满足的方程； 2）求出光照下达到稳定状态时的过载流子浓度。 解：均匀吸收，无浓度 梯度，无飘移。 d p p dt  g L t 方程的通解： p(t ) Ae gL (2)达到稳定状态时， d p 0 p  dt gL 0. g 有一块 n 型硅样品，寿命是 1us，无光照时电阻率是 10??cm。今用光照射该样品，光被半导体均匀的吸收， 电子 -空穴对的产生率是 1022cm-3s-1,试计算光照下样品的电阻率，并求电导中少数在流子的贡献占多大比例 光照达到稳定态后 . p g L 0 p n g 1022 10 6 1016 cm 3 光照前 : 1 10 cm 0 n0 q p0 q n p 光照后 : np n pq p n0q n p0 q pnq npq p 0.10 1016 1.6 10 19 1350 1016 1.6 10 19 500 0.1 2