模拟集成电路Chapter_12.pdfVIP

第12章工艺、版图与失效 刘鸣 中国科学院半导体研究所 liuming@semi.ac.cn 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 内容  工艺概述  基本工艺  器件制造  版图概述  设计规则  版图设计技术  失效机制 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 摩尔定律 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 4004与第七代酷睿处理器的比较 指标 4004 I7-7700K 年份 1971 2017 工艺 10μm 14nm-FinFET- PLUS 主频 108KHz 4.2GHz 晶体管数量 2250 31亿 核心数量 1 4 数据宽度 4bit 64bit 主要用途 计算器 PC 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 工艺概述  集成电路制造工艺是集成电路实现的手段，也 是集成电路设计的基础。  随着集成电路发展的过程，其发展的总趋势是 革新工艺、提高集成度和速度。  代工方式已成为集成电路技术发展的一个重要 特征。  设计技术的发展滞后于工艺的进步。 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 工艺发展 5nm 22nm,14nm, 10nm,7nm 22nm 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 基本工艺  光刻  氧化  离子注入  淀积与刻蚀 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 光刻（1）  版图→晶片  版图代表了不同的 “层” 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 光刻（2 ）  光刻的流程 （负胶） 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 光刻（3 ）  光刻机原理 中国科学院大学高等模拟集成电路2017年秋季学期 光刻机技术的发展  可见光，436nm 