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应对BLDC高性能驱动中的MOSFET应用 锐骏学院 堵转是必测试项 目： ü 加载、持续阻力加载力和堵转、完全堵死测试 ü 低速带载 （堵转/缺相/相跟相短路）实验 ü 测试 电机和MOSFET持续升温情况与 电流增加情况 ü 测试 电路对温度和 电流的保护有效性 测试方法： ü 按照标准或者企业标准，用 自制测试治具或设备 ü 按照各公 司自有的经验 ，增加 阻力，堵死等手段 ü 针对MOSFET 管替换的对 比温升 （EAS） 雪崩 （EAS）重点是能量聚集而失效： Ø 一个超越VDSS 的电压 ，电流的迅速增加能耐受 的参数 Ø 合理降额使用，电机一般选取70%-80% 的降额 ， 直接从驱动 电压来看在50-60% ； Ø 短的粗的供 电及 负载回路 ； Ø 选择合理的栅极 电阻Rg ； SOA 失效是指 电源在运行 时异常的大电流和 电压 同时叠加在MOSFET 上面， 造成瞬时局部发热而导致的破坏模 式。或者是芯片与散 热器及封装不能及 时达 到热平衡导致热积 累，持续的发热使温度超过氧化层限制而导的热击穿模 式。 1 ：受限于最大额 定电流及脉 冲电流 2 ：受限于最大节温下的RDSON 。 3 ：受限于器件最大的耗散功率。 4 ：受限于最大单个脉 冲电流。 5 ：击穿电压BVDSS 限制 区 确 定MOSFET SOA 曲线 Ø 这些SOA 曲线通常假 定结温从25℃的环境温度上升到额 定最大结温，在这个情况下为150℃。然而，散 热要求常常需 要在 更高的起始温度上运行 ，并且 图中的数据必须根据等式：SOAT SOAJ MAXx(TJ MAX –T)/(TJ MAX –TA) Ø 针对较低的温度上升值进行调整，其中SOA 代表在任意温度T 上的SOA性能，SOA 代表制造商SOA 曲线的一个 T J MAX 特定点上的性能，而TJ MAX 和TA代表峰值和环境结温。 例如 ： Ø SOA 曲线显示RUH30150M在25℃ ， 1ms脉 冲，最大输入12V 的条件下 能够耐受15A （或180W ）的电流。 Ø 比如说 ，当MOSFET工作 结温为 79℃时，功率性能降为： 102W 180W*(150-79)/(150 –25) 。 封装工艺提高导热能力 芯片D和S分别被基导和铜 片 比打线散 热有 比较大的提升，降低 内阻 夹在 中间，当前最好 的一种功率 器件封装方式。比铝带提升10-12% 内阻。 上、下MOSFET 管选择 Ø 自举 电路较 占面积 ，上管为P-MOS可以节省掉 自举线 路 ，获得更高的集成度 ，推荐 小型BLDC采用。 Ø N-MOS有低的RDS(ON) 和性价 比优势，那 么 自举 电路就 必不可少，是最常用的设计方式。 Ø 其中一组上管需要与另外两组下管组合开关动作 ，开 关速度配合。接近的规格参数下，较容易实现死区时 间的调整，从而提 高驱动效率。 Ø 优质 的供货厂家，保证MOSFET 参数的一致性很重要。 Ø 晶圆片是本征硅 （4价） Ø 生长添加3价物 （二硼烷B H ）为P型外延 片, 2 2 Ø 生长添加5价物 （磷烷PH ，砷烷ASH ）为N 型外延 片。 3 3 Ø 硅 片外延生长时，常需要控制掺杂，以保证控制 电阻率。 Ø P型多为空穴，N 型则为多 自由电子。 自由电子迁移率是空穴迁移率的2-3倍 （同等面积下） ，因此P 型MOS管面积 大、成本会 高。 Ø 外