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碳化硅单晶衬底精密加工技术研究 赵岁花，梁津，王家鹏，衣忠波 【摘要】介绍了碳化硅⑸C）材料的结构和特性,分析了 SiC材料的应用领域及 发展趋势，研究了其单晶衬底精密加工技术，该研究对提高SiC单晶衬底加工 表面质量具有指导意义。 【期刊名称】电子工业专用设备 【年（卷）,期】2018（000）003 【总页数】4 【关键词】SiC单晶；衬底;精密加工 SiC作为第三代半导体材料的核心之一，是半导体界公认的一种未来的材 料Z是21世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料[l]o与Si、GaAS相比， 具有禁带宽、导热率高、电子饱和漂移速率大、化学稳定性好等优点,被用于 制作高温、高频、抗辐射、大功