纳米CMOS集成电路质子辐射效应研究.pdfVIP

目 录 摘 要 i Abstract iii 第一章 绪论 1 1.1 空间辐射环境与质子辐射 2 1.1.1 非俘获带粒子 2 1.1.2 俘获带粒子 3 1.1.3 高注量质子的高穿透力 4 1.2 持续缩减的半导体制造工艺对辐射物理的影响 5 1.3 CMOS 集成电路质子辐射效应的研究现状及不足 7 1.3.1 质子瞬态辐射效应 7 1.3.2 质子累积辐射效应 14 1.3.3 累积辐射效应对瞬态辐射效应的影响 17 1.3.4 相关研究存在的不足 20 1.4 本文的主要研究内容 21 1.5 本文的组织结构 22 第二章 质子反冲核在半导体材料中的非完全电离 24 2.1 引言 24 2.2 反冲核的非完全电离 25 2.