无桥pfc电路说明.docxVIP

氮化镣(GaN)技术由于其出色的开关特性和不断提升的品质，近期逐渐得到了电力转换应用的青睐。具有低寄生 电容和零反向恢复的安全 GaN可实现更高的开关频率和效率，从而为全新应用和拓扑选项打开了大门。连续传导 模式(CCM)图腾柱PFC就是一个得益于 GaN^点的拓扑。与通常使用的双升压无桥 PFC拓扑相比，CCM?腾柱无桥 PFC能够使半导体开关和升压电感器的数量减半，同时又能将峰值效率推升到 95咐上。本文分析了 AC交叉区域 内出现电流尖峰的根本原因，并给出了相应的解决方案。一个 750W图腾柱PFC原型机被构造成具有集成栅极驱动 器的安全GaN并且展示出性能方面的提升。 关键字一GaN PFC;图腾柱；数字控制 I.简介 当按下智能手机上的一个按钮时，这个手机会触发一个巨大的通信网络，并且连接到数千英里之外的数据中心。 承载通信数据时的功耗是不可见的，而又大大超过了人们的想象。世界信息通信技术 (ICT)生态系统的总体功耗 正在接近全球发电量的 10% ［1］。单单一个数据中心，比如说位于北卡罗来纳州的脸谱公司的数据中心，耗电量即 达到40MW另外还有两个位于美国内华达州和中国重庆的 200MW数据中心正在建设当中。随着数据存储和通信网 络的快速增长，持续运行电力系统的效率变得越来越重要。现在比以前任何时候都需要对效率进行空前的改进与 提升。 几乎所有ICT生态系统的能耗都转换自 AC AC输入首先被整流，然后被升压至一个预稳压电平。下游的 DC/DC专 换器将电压转换为一个隔离式 48V或24V电压，作为电信无线系统的电源，以及存储器和处理器的内核电压。随 着MOSFE技术的兴起和发展，电力转换效率在过去三十年间得到大幅提升。自 2007年生效以来，Energy Star (能源之星)80 PLUS效率评价技术规范［2］ 将针对AC/DC整流器的效率等级从黄金级增加到更高的白金级，并 且不断提高到钛金级。然而，由于 MOSFET勺性能限制，以及与钛金级效率要求有关的重大设计挑战，效率的改进 与提升正在变慢。为了达到 96%勺钛金级峰值效率，对于高压线路来说，功率因数校正 (PFC)电路效率的预算效 率应该达到98.5%及以上，对于低压电路，这个值应该不低于 96.4%。发展前景最好的拓扑是无桥 PFC电路，它没 有全波AC整流器桥，并因此降低了相关的传导损耗。 ［3］对于不同无桥PFC的性能评价进行了很好的总结。这个 性能评价的前提是，所使用的有源开关器件为 MOSFE或IGBT。大多数钛金级 AC/DC整流器设计使用图6中所示的 拓扑［3］，由两个电路升压组成。每个升压电路在满功率下额定运行，不过只在一半 AC线路周期内运行，而在另 外周期内处于空闲状态。这样的话， PFC转换器以材料和功率密度为代价实现了一个比较高的效率值 ［4］。通常情 况下，由于MOSFE林二极管的缓慢反向恢复，一个图腾柱 PFC无法在连续传导模式(CCM)下高效运行。然而， 它能够在电压开关为零 (ZVS)的变换模式下实现出色的效率值。数篇论文中已经提到， PFC效率可以达到98.5%- 99%对于高功率应用来说，多个图腾柱升压电路可以交错在一起，以提高功率水平，并且减少输入电流纹波。然 而，这个方法的缺点就是控制复杂，并且驱动器和零电流检测电路的成本较高。此外，因此而增加的功率组件数 量会产生一个低功率密度设计。因此，这个简单的图腾柱电路需要高效运行在 CCMT,以实现高功率区域，并且 在轻负载时切换至具有 ZVS的TM通过使用这个方法，可以同时实现高效率和高功率密度。作为一款新兴半导体 开关，氮化镣(GaN) FET正在逐渐走向成熟，并且使此类应用成为可能。 Transphorm公司已经在 APEC 2013上展 示了一款峰值效率达到 99%勺基于GaN的图腾柱CCM PFC [9]。 [10-12] 还介绍了 GaN^件出色的开关特性，以及 应用优势。为了更好地理解 GaN特性，并且进一步解决应用中存在的顾虑，特别是开关频率和交叉电流尖峰问题， 这篇文章讨论了 ： II. GaN 技术概述、III. 图腾柱CCM PF驻制、IV.实验和V.结论。 II. GaN 技术概述 GaNM电子迁移率晶体管 （HEMT）首次问世是在2004年。HEMT吉构表现出非同寻常的高电子迁移率，这个值所表 示的是一个 AlGaN和GaN异构表面附近的二维电子气 （2DEG）。正因如此，GaN HEM他被称为异构 FET （HFET）, 或者简单地称为 FE1基本GaN晶体管结构如图1中所示[13]。源电极和漏电极穿透 AlGaN层的顶部，并且接触 到下面的2DEG这就在源极和漏极之间形成一个低阻抗路径，而也就自然而然地形成了一个 D模式器件。通过将 负