原创力文档- 1、本文档共5页，其中可免费阅读2页，需付费100金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
表面清洗初次氧化法沉积一层或常压低压热电浆增强分子磊晶成长外延生长法涂敷光刻胶光刻胶的涂敷预烘曝光显影后烘腐蚀光刻胶的去除此处用干法氧化法将氮化硅去除离子布植将硼离子透过膜注入衬底形成型阱去除光刻胶放高温炉中进行退火处理用热磷酸去除氮化硅层掺杂磷离子形成型阱退火处理然后用去除层干法氧化法生成一层层然后沉积一层氮化硅利用光刻技术和离子刻蚀技术保留下栅隔离层上面的氮化硅层湿法氧化生长未有氮化硅保护的层形成之间的隔离区热磷酸去除氮化硅然后用溶液去除栅隔离层位置的并重新生成品质更好的薄膜作为栅极氧化层沉
1、表面清洗
2、初次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法沉积一层 Si3N4 (Hot CVD 或 LPCVD) 。
( 1 )常压 CVD (Normal Pressure CVD)
( 2 )低压 CVD (Low Pressure CVD)
( 3 )热 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD)
( 4 )电浆增强 CVD (Plasma Enhanced CVD)
( 5 ) MOCVD (Metal Organic CVD) 分子磊晶成长 (Molecular Beam Epitaxy) (6)外延生长法 (LPE)
4、涂敷
文档评论（0）