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AP6212 特点如下:
1. AP6212 内部芯片的工艺要比AP6210 高,体现在RF 性能,功耗,吞吐量,蓝牙和WIFI 共存上都有一定的
优势
2. AP6212 的蓝牙是支持到BT4.2,而AP6210 只支持到BT4.0
3. AP6212 和AP6210 是PIN-TO-PIN,软件只要打一个补丁即可同时兼容两个模块,平滑过渡
AP6212 和AP6210 软硬件设计部份差异说明:
(1) AP6212 采用的是26M 无源晶体从PIN10,11 输入,而AP6210 是26M 无源晶体经过一个反相器之后
从PIN30 脚输入,如下图,如果用AP6212 A 框要去掉,即不需要再接反相器,并接上接上R47=R48=0R,;
(2) AP6212 硬件上PIN29 脚悬空,而AP6210 是接上拉;
(ps.如果 26M 时钟没有做兼容从 PIN10,11 进去,接 AP6212 的时候,可以尝试把时钟从PIN10 脚输
入,PIN29 同时上拉)
(3) AP6212 要更新bcmhd 新驱动 1.201.34.x/1.201.59 .x 或者更新的版本,目前已经更新给主控原厂,请
从主控原厂获取最新驱动版本,另外固件包firmware Nvram 也需要从主控原厂更新,验证的办法
是:
打开WIFI ,抓出Kernel 的log,检查打印信息,如果打印如下信息,说明AP6212 已经正常工作:
4[ 155.620641] Dongle Host Driver, version 1.201.59.2 (r491657)
4[ 156.115862] Final fw_path=/system/etc/firmware/fw_bcm43438a0.bin
4[ 156.115908] Final nv_path=/system/etc/firmware/nvram_ap6212.txt
4[ 156.115956] Final conf_path=/system/etc/firmware/config.txt
4[ 156.217659] NVRAM version: AP6212_NVRAM_V1.0
4[ 156.218698] dhdsdio_write_vars: Download, Upload and compare of NVRAM succ
AP6XXX Layout 注意事项:
(1). PIN2 天线走50 欧姆阻抗设计,走线两边30mil 距离打孔,最好用第三层作为GND 参考层 (第二层下
面也掏空),不能有直角出现,走线和模块在同一层,走线加一颗10pF 耦合电容即可,不用加0 欧电阻,
且天线走线远离电源和时钟走线
(2). PIN9 VBAT,须先经过滤波电容再到PIN9,走线宽度与PIN9 同宽,PIN10 是时钟输入线,尽量不要靠近
PIN9,避免对VBAT 产生纹波的干扰,需隔地处理。
(3). 晶体底部建议完整地,且时钟走线不能与电源或者其他信号线平行,需包地处理,相邻层也需要避
开电源和其他信号线
(4). SDIO_D0-D3CMD 走线尽量要平行等长,走线长度相差控制在30mil 以内, 并且远离其他电源和时钟
走线,PIN17 SDIO_CLK 是高频走线,全程需要包地处理,不能与信号线平行走线
(5).PIN21 和PIN23 是芯片内部Buck 电路,外接一颗4.7uH 的功率电感,是一颗噪声源,从PIN21 脚出来
的走线以及进到PIN23 脚走线都需要包地及多打一些过孔处理,要先经过滤波电容再到PIN 23,且这两
段走线宽度不能大于模块PIN 脚焊盘宽度,和模块PIN 脚宽度一样即可,功率电感两个PAD 中间需要静
空处理
(6). PIN24 32.768k 是系统参考时钟,全程走线远离电源走线和时钟走线及信号线,需全程包地处理(上下
左右),注意PIN24 和PIN23 脚之间尽量用地隔一下
(7). 模块下面,即Top 层需要留一个完整地,不能切割,因为模块本身底面有高频走线,需要PCB 的TOP
层有完整地做参考, 模块的PIN 脚的出线如果要打孔,需在模块PAD 或者以外打孔
(8). 如果涉及到改版,请发板前再发给我们检查
代理: 意天电子/Yippee-elec 电话: 0755
以下是AP6212 吞吐量测试,分别为只开WIFI,和
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