最新版模拟电子技术复习题(填空选择).docxVIP

填空题 ?在常温下，硅二极管的门槛电压约为 0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为 0.7V;错二极管的门 槛电压约为_01_V，导通后在较大电流下的正向压降约为 _0A_Vo 2、 二极管的正向电阻 小；反向电阻大。 3、 二极管的最主要特性厂单向导电性二OPN结外加正向电压时，扩散电流 一大于一漂移电流，耗尽层变 窄。 4、 三极管最主要的电特性是一单向导电性_，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极 管与输入电源之间必须加入一个 电阻。 5、 电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、 连续变化的电压或电流信号下 工作的电子电路及其技术，称为模拟 电子技术。 6、 PN结反向偏置时，PN结的内电场 增强。PN具有具有单向导电特性。 7、 硅二极管导通后，其管压降是恒定的F不随电流而改变，典型值为 ”0帀 伏；其门坎电压S TOC \o 1-5 \h \z 约为___0.5 —伏。 一 8二极管正向偏置时，其正向导通电流由 —多数一载流子的_扩散一运动形成。 9、 P型半导体的多子为_空穴一、N型半导体的多子为一自由电子〔本征半导体的载流子为一电子一空 穴对 _。 — — — — — 10、 因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为 一空穴（P） 一半导体和一电子（N） _半导体两大类。 二极管的最主要特性是_单向导电性—，它的两个主要参数是反映正向特性的一一最大整流电流一和反映反向特性 的_反向击穿电『_ O — — — 12、 在常温下，豆二极管的开启电压约为_0.5,，导通后在较大电流下的正向压降约为 _0.7_V。 13、 频率响应是指在输入正弦信号的情况下，——输岀随频率连续变化的稳态响应_0 - 15、 N型半导体中的多数载流子是 电子 ，少数载流子是 空穴。 16、 按一个周期内一只三极管的导通角区分，场率放大电路可分犷 二甲类_、_乙类一、_甲乙类—三种基本类 型。 17、 在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是 —耦合和旁路一电容，影响高频信号放大的是结一电 容。 18、 在NPNA极管组成的基本共射放大电路中，如果电路的其它参数不变，三极管的B增加，贝I」lu增大一，I co增 大，UceQ减小。 19、 三极管的三个工作区域是一截止—饱和—放大_。集成运算放大器是一种采用 一直接一耦合 方式的放大电路。 — — 20、 某放大电路中的三极管，在工作状态中测得它的管脚电压 Va= 1.2V，V』0.5V, V c= 3.6V,试问该 三极管是一硅管一管（材料）NP溼的三极管，该管的集电极是 a、b、c中的_C。 21、 已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为_ 80_dB，总的电压放大倍数为_ 10000_ ° ? 22、 三极管实现放大作用的外部条件是：一_发射结正偏、集电结反偏 。某放大电路中的三极管，测 得管脚电压Va= -1V，Vb=3.2V, Vc=-3.9V,这是_硅 管（硅、错）， NP 型，集电极管 脚是a。 23、 三种不同耦合方式的放大电路分别为： 阻容（RC耦合、 直接耦合和「变压器耦合—，其中直 接耦合一能够放大缓慢变化的信号。 TOC \o 1-5 \h \z 24、 在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的 负载___，而前级的输出电阻可视为后级的 信 号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每二级的通频带 要窄 。 25、 某放大电路在负载开路时的输出电压为 4V，接入12k Q的负载电阻后，输出电压降为 3V，这说明放大 电路的输出电阻为 4kQ。 26、 为了保证三极管工作在放大区，要求： 发射结—正向 偏置，集电结 反向 偏 置。②对于NPN型三极管，应使 VBC_V0_。 27、 放大器级间耦合方式主要有阻容（口0耦合、直接耦合和 变压器 耦合三大类。一 28、 在三极管组成的三种不同组态的放大电路中， 共射和共基组态有电压放大作用，共射 组态有电 流放大作用，_共射和共集 组态有倒相作用；一共集 组态带负载能力强， 共集_组态 向信号源索取的电流小， 共基组态的频率响应好。 29、 三极管放大电路的三种基本组态一共集、共基、共射。 30、 多级放大器各级之间的耦合连接方式一般情况下有 一直接耦合一，_阻容耦合_，_变压器耦合一。 31、 在单级共射放大电路中，如果输入为正弦波形，用示波器观察 V。和V,的波形，则V。和V的相位差为 180°_;当为共集电极电路时，贝U V和V的相位差为一2。 32、 放大器有两种不同性质的失真，分别是 _饱和一失真和一截止一失真。 33、 晶体管工作在饱和区时?发射结_a_，集电结_a_ ;工作在放大区时，集电结_b_，发