新型电力电子器件碳化硅教学文案.ppt

新型电力电子器件 碳化硅器 1.89A si  T-247 Sic dual diodes Sic SiG  个理想的功率半导体器件,应当具有下列理想的静态和动态特性 在阻断状态,能承受高电压;在导通状态,能导通高的电流密度并具有低的 导通压降;在开关状态和转换时,具有短的开、关时间,能承受高的did和 du/dt,具有低的开关损耗;运行时具有全控功能和良好的温度特性。自20 世纪50年代硅晶闸管问世以后,功率半导体器件的研究工作者为达到上述理 想目标已取得了世人瞩目的成就。早期的大功率变流器,如牵引变流器,几 乎都是基于晶闸管的。到了80年代中期,45kV的可关断晶闸管(GTo得到 广泛应用,并成为在接下来的10年内大功率变流器的首选器件,一直到绝缘 栅双极型晶体管(GBT的阻断电压达到33kV之后,这个局面才得到改变。 与此同时,对GTO技术的进一步改进导致了集成门极换流晶闸管(GcT的问 世,它显示出比传统GTO更加显著的优点。目前的GTO开关频率大概为 500Hz,由于开关性能的提高,GcT和大功率GBT的开通和关断损耗都相 对较低,因此可以工作在1~3kHz的开关频率下。至2005年,以晶闸管为代 表的半控型器件已达到70MW9000V的水平,全控器件也发展到了非常高的 水平。当前,硅基电力电子器件的水平基本上稳定在10-10WH左右,已 逼近了由于寄生二极管制约而能达到的硅材料极限  HIr RC (不 控、自锁 品阐管晶闸管 型器件) 第2代 (可控 非自锁 型器件)双极性晶体管 极性沟道模 forme 191:第2代 MOSFET和1GBIE上 ower MISFET 第3代 MOSFET和IBT MOs门p9s 第4代 MOSFET 控制 .5f 成芯片)199:第4代Es面型 设计规则 解决方案 7 HVIPMI Power IC 器件 电力电子器件发展时间图  碳化硅性质 由于传统的硅基电力电子器件已经逼近了因寄生二极管制约 而能达到的硅材料极限,为突破目前的器件极限,有两大技术发 展方向:一是采用各种新的器件结构;二是采用宽能带间隙材料 的半导体器件,如碳化硅(siC)或氮化镓(GaN器件 siC是VV族二元化合物半导体材料也是元素周期表中Ⅳ族 元素中唯一的一种固态碳化物。SiC由碳原子和硅原子组成但其 晶体结构具有同质多型体的特点。在半导体领域最常用的是 4H-SiC和6HsiC两种C与其它半导体材料具有相似的特性,4H-SiC 的饱和电子漂移速度是Si的两倍从而为siC器件提供了较高的电 流密度和较高的跨导。高击穿特性使SiC功率器件和开关器件具 有较S和GaAs器件高3-4倍的击穿电压高的热导率和耐高温特 性保证了siC器件具有较高的功率密度及高温工作的可靠性。M  表1在坏境温度下各种半导体的物理特性比较 GaAs Epi3C-SiC Paly 3C-SiC 6H-SiC 4H-SiC 带獻/eV 39 击穿电场@10cm’/Mv.cm1 1.5 电子迁移率@10cm3/cm2.V-1.s-1 1100600 饱和电子漂移速度/cm.s 热导率/Wcm-1.K 空穴迁移幸@10°cm/cmy 片子的最大尺寸/英寸 Johnson优良指数(FM表示器件高功率 BHFM 高频性鲹的基本限制 KRM表示基体管开关速度的优良指数 质量子10F1表示电力电千器件中有 器件积和散热材料的优良指数 QF2则表宗维短器下的优指数 QF3表示对散热及其几何形态不加任何 Si GaAs 3C-SiC 6H-Sic 4H-SiC GaN 假设状况的优 Baliga提尊!↓奉奀犟鋹鼒应月 不同半导体材料的各种优良指数比较 时的优良指蔻半导体材料极限  碳化硅电力电子器件 碳化硅功率二极管 碳化硅 MOSFET器件 碳化硅IGBT 碳化硅晶闸管  碳化硅功率二极管 碳化硅功率二极管有3种类型:肖特基二极管(SBD)、 PiN二极管和结势垒控制肖特基二极管(JBS)。在5kV阻断电 压以下的范围,碳化硅结势垒肖特基二极管是较好的选择 JBS二极管结合了肖特基二极管所拥有的出色的开关特性 和piN结二极管所拥有的低漏电流的特点。把JBS二极管结 构参数和制造工艺稍作调整就可以形成混合PN-肖特基结 二极管(MPS。由于碳化硅二极管基本工作在单极型状态 下,反向恢复电荷量基本为零,可以大幅度地减少二极管 反向恢复引起的自身瞬态损耗以及相关的GBT开通瞬态损 耗,非常适用于开关频率较高的电路。  piN结二极管在45KV或