蒋玉龙教授-半导体物理ppt-7.pdfVIP

4.1 硅、锗晶体中的杂质能级9 4.1.5 深能级杂质 －当半导体中存在非III，V 族杂质时，会引入深能级 1. 杂质能级离带边较远，ΔE ，ΔE 可与E 相比拟； 特点： D A g 2. 多次电离⇒多重能级，还有可能成为两性杂质. Ge 中的Au （I 族元素） + 0 - 2- 3- 五种带电状态：Au Au Au Au Au E E E E D A1 A2 A3 0 +