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A 溫度係數 (容量—溫度特性):
通過調整配方將居裏點尖峰移至室溫附近的高K 介質在25℃時展現出極高的介電常數,但同時,
不管是升溫還是降溫,K 值都會出現非常大的變化。而低K 介質,其配方系統使得居裏尖峰被壓低和
寬化,因此能如人們所希望的那樣表現出更佳的穩定性。
Ⅰ類瓷的溫度係數(T.C.) ppm/℃表示,而Ⅱ類瓷 % ΔC。測量溫度係數的方法是將片式電容
器樣品置於溫度可控的溫度實驗室或“T.C.”實驗室中,精確地讀取不同溫度 (通常為-55℃、25℃、
125℃)下的電容量。顯然,精密的夾具和測試儀器就變得非常重要了,特別是測量小電容量時,其
ppm/℃數值非常小,容量較基準值的變化往往遠小於 1 皮法。由於存在去老化性,因此在測高K 的Ⅱ
類介質時就必須注意。如果在加熱過程中對去老化的樣品進行測量,其T.C.結果肯定是錯誤的;所以
T.C.測量必須在對電容器去老化後至少一個小時才能進行。
採用下面的運算式就可以計算出任何給定的溫度範圍內Ⅰ類介質的溫度係數,單位為ppm/℃:
T.C. (ppm/℃) = [(C – C ) / C (T – T )]106
2 1 1 2 1
這裏: C = T 下的電容量
1 1
C = T 下的電容量
2 2
且 T > T
2 1
舉例:某一樣品的電容量測量值如下:
-55℃,1997 pF
25℃,2000 pF
125℃,2004 pF
則-55℃到25℃範圍內的T.C.斜率為:
6
T.C. = [ (2000-1997)10 ] / 1997[25- (-55)] = 18.7 ppm/℃
25℃到 125℃範圍內的T.C.斜率為:
6
T.C. = [ (2004-2000)10 ] / 2000(125-25) = 20.0 ppm/℃
Ⅱ類介質的溫度係數是以在室溫基準值 變化的百分數來表示的,其變化量較線性介質大了好幾
個數量級。
T.C.( %) = (C – C ) / C
2 1 1
這裏: C = T 下的電容量
1 1
C = T 下的電容量
2 2
B 介質的分類
Ⅰ類介質由於其採 非鐵電(順電)配方,以TiO 為主要成分 (介電常數小於 150),因此具有最
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穩定的性能。通過添加少量其他 (鐵電體)氧化物,如CaTiO 或SrTiO ,構成 “擴展型”溫度補償陶
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