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半导体器件电子学-Ch1;《半导体器件电子学》课程大纲; §1.1半导体的基本特性与常见半导体材料
一、半导体的基本特性
电阻率:介于10-3-106Ω.cm,
金属:10-6Ω.cm
绝缘体:1012Ω.cm
纯净半导体负温度系数
掺杂半导体在一定温度区域出现正温度系数
不同掺杂类型的半导体做成pn结,或金-半接触后,电流与电压呈非线性关系,可以有整流效应
具有光敏性,用适当波长的光照射后,材料的电阻率会变化,即产生所谓光电导
半导体中存在着电子与空穴两种载流子;二、常见的半导体材料
;构成半导体材料的主要元素及其在元素周期表中的位置
;元素半导体
Si:是常用的元素半导体材料,是目前最为成熟的材料,广泛用于VLSI。
Ge:早期使用的半导体材料。
化合物半导体
Ⅲ-Ⅴ族化合物(AIIIBV)
Ⅲ-Ⅴ:Al,Ga,In —— P,As,N,Sb(碲)
GaAs、InP、GaP、InAs、GaN等。
Ⅱ-Ⅵ 族化合物(AIIBVI)
Ⅱ-Ⅵ:Zn,Cd,Hg —— S,Se,Te
ZnO、ZnS、TeCdHg等
Ⅵ-Ⅵ 化合物(AIVBiV)
SiGe、SiC。
;混合晶体构成的半导体材料
◆两种族化合物按一比例组成,如 xAⅢCⅤ+(1-x)BⅢCⅤ, xAⅡCⅥ+(1-x)BⅡCⅥ,SixGe1-x,
能带工程:由于可能通过选取不同比例的x,而改变混晶的物理参数(禁带宽度, 折射率等),这样人们可以根据光学或电学的需要来调节配比x。
通过调节不同元素的组分,才能实现禁带宽度的变化。在光电子、微电子方面有很重要的作用。
;三、常见半导体的结构类型
◆金刚石结构:Si、Ge
◆闪锌矿结构:GaAs、InP、InAs、InSb、AlP、
AlSb、CdTe
◆纤锌矿结构:GaN、AlN、SiC;;◆闪锌矿结构;;;;◆纤锌矿结构;;§1.2 新型宽带半导体材料的特性
1。GaN半导体材料的特性
由三族元素Ga和五族元素N,III-V族化合物半导体。
晶体结构分为:
闪锌矿结构(Zinc Blende crystal structure)立方晶
纤锌矿结构(Wurtzite crystal structure )六角
GaN在1932年人工合成。
(参考书:Nitride Semiconductors and Device
Hadis Morkoc)
III族的氮化物有三种晶体结构:
闪锌矿结构、纤锌矿结构、盐石岩结构(NaCl)
对于AlN、GaN和InN,室温下:热力学动力学稳定的结构是纤锌矿结构。
GaN、InN通过薄膜外延生长在立方晶的(110)晶面上,如Si,MgO,GaAs,才能生长出闪锌矿结构。;纤锌矿结构六角的,有两个晶格常数c和a,是复式格子。沿c轴方向移动5/8c形成。
闪锌矿结构(Zinc Blende crystal structure)立方晶
单胞中含有4个基元(4个III族原子和4个V族原子)
复式格子。
GaN材料的外延生长:
其结构取决于使用的衬底类型
六角晶体衬底长出纤锌矿结构
立方晶体衬底长出闪锌矿结构
目前常用的衬底:sapphire Al2O3,蓝宝石
缺点:晶体结构不好,与氮化物的热匹配不好
优点: 来源广,六角结构,容易处理,高温稳定。
由于热匹配不好,缓冲层要厚。;SiC作为衬底,热匹配和晶格匹配比较好。
缺点:SiC常规工艺很难处理,SiC的结构变数太大。
GaN体材料是最理想的。但目前还不能生长出大尺寸的材料。
掺杂:n-GaN: Si,Ge,Sn(Selenium)
p-GaN:Mg,(1989)Zn,Be,Hg,C; ;立方晶第一布里渊区--截角八面体 ; ;;Wurtzite crystal structure
Energy gaps, Eg 3.47 eV 0 K
3.39 eV 300 K
Energy gaps, Eg, dir 3.503 (2) eV 1.6 K;
photoluminescence, from excitonic gap adding the exciton binding energy
3.4751(5) eV 1.6 K; A-exciton (transition from Γ9v)
3.4815(10) eV
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