北京交通大学09-10年度模拟电子技术期末试题.docVIP

北京交通大学考试试题A 课程名称：模拟电子技术 2009-2010学年第二学期 出题教师：刘颖 班级：电信学院08级全体 学生姓名_________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人 一、选择填空题 （10分）（答案为黑体） 1．双极型三极管是通过空穴和自由电子导电，NMOS场效应管是通过 导电。 a.仅通过空穴 b. 仅通过自由电子 c.通过空穴和自由电子 d.通过空穴或自由电子 2．PN结在加正向电压时，PN结的厚度 。 a.变厚 b.变薄 c.不变 d.有变化 3.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。 a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。 c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。 4． 放大电路在高频信号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在_________。 a.耦合电容 b. 旁路电容 c.耦合和旁路电容