北科大电铅子技术第14章.ppt

北科大电子技术第14章;第十四章 二极管和三极管;导 体：自然界中很容易导电的物质称为导体，金 属一般都是导体。; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;14.1.1 本征半导体;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;硅和锗的共价键结构; 共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;二、本征半导体的导电机理;;2.本征半导体的导电机理;本征半导体的导电能力取决于载流子的浓度。; 自由电子在运动过程中如果和空穴相遇就会填补空穴，使两者同时消失，这种现象称为复合。 在一定的温度下自由电子和空穴的产生和复合达到动态平衡，半导体中的载流子维持一定的数目。 但是由于这时的载流子数量很少，所以导电能力很差。 温度越高，热运动加剧，自由电子和空穴增多，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强，温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。;14.1.2 N 型半导体和P 型半导体;一、N 型半导体;N 型半导体中的载流子是什么？;二、P 型半导体;三、杂质半导体的示意表示法;三、杂质半导体的示意表示法; 4. 在外加电压作用下，P 型半导体中电流主要 是 ，N 型半导体中电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） ;;;;;1.空间电荷区中几乎没有载流子。;PN结的单向导电性;一、PN 结加正向电压;二、PN 结加反向电压;总结：;14.3 二极管;常见二极管外形图;一、基本结构：PN 结加上管壳和引线。;U;三、主要参数;3. 反向峰值电流 IRM;U; 理想二极管：正向导通 ---- 管压降为零 反向截止 ---- 相当于断开; 二极管电路分析;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;例2：二极管的检波应用;例3：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ?;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui ≤ 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;例5：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ?;;;例5：已知：管子为锗管，VA = 3V，VB = 0V。导通压降为0.3V，试求：VY = ?;;符号 ;UZ;(1) 稳定电压 UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端的电压。;例1：已知：Uz = 12V，IZM = 18mA，R = 1.6KΩ。 试求：Iz = ? 限流电阻 R 的阻值是否合适？;负载电阻：;;§14.5 晶体管;14.5.1 基本结构;NPN型晶体管;基区：最薄， 掺杂浓度最低;B;晶体管电流放大的实验电路 ;IB(mA);晶体管内部载流子运动 发射区向基区扩散电子 电子在基区扩散和复合 集电区收集从发射区扩散过来的电子;电流分配和放大原理;;直流电流放大倍数：ICE 与 IBE之比; NPN 型晶体管;14.5.3 特性曲线;输入回路;一、输入特性曲线;IB(?A);二、输出特性曲线;线性放大区;IC(mA);IC(mA );输出特性三个区域的特点;(2) 饱和区：发射结正偏，集电结正偏。 IC ＜?IB ， IC≈UCC / RC，UCE≈0;(3) 截止区：发射结反偏，集电结反偏。 IB=0 ， IC=ICEO ?0， UCE ? UCC ;输出特性三个区域的特点;例1: ? = 50， USC = 12V, RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V 时，晶体管工作于哪 个区？;T 管工作于放大区;解：USB =5V时:;三、主要参数;2.集-基极反向截止电流 ICBO;4.集电极最大允许电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;在以后的计算中，一般作近似处理： ? =;例3：现测得放大电路中两晶体管各管脚电位如下： a：V1 = 12V，V2 = 3.7V，V3 = 3V； b：V1