光学光刻[共38页].pptVIP

;涂光刻胶（正）; 光源;极紫外光光刻;极紫外光光刻;6;7;8;X 射线源;10; 2、等离子体 X 射线源 用聚焦的高能电子束或激光束轰击金属薄膜，使之蒸发成为等离子体。超热的金属等离子体蒸汽将发射 X 射线，波长为 0.8 ~ 10 nm 。 这种 X 射线源从激光到 X 射线的转换效率约为 10%，光强比较强，并有非常小的直径，比较适合于光刻。;12; 投影电子束曝光技术既有电子束曝光分辨率高的优点，又有投影曝光所固有的生产效率高成本低的优点，因而是目前正积极研究开发的一种技术。; 原理：电子枪发射的电子束经聚焦透镜后形成准直电子束流，照射到掩模版上，穿过掩模透明部分的电子束再经过投影透镜缩小后，在晶片上获得缩小的掩模转印图形。 由于曝光视场不大（一般为 3×3 mm2 ），所以工件台也需作步进移动。; 投影电子束曝光的 优点 1、波长短，分辨率高，线宽可小于 0.1 ?m ； 2、生产效率高； 3、对电子束的控制简单。 ; 在投影电子束光刻中，最有希望的技术之一被称为角度限制散射投影电子束光刻（Scattering with Angular Limitation Projection Electron-beam Lithorgraphy, SCALPEL），它是利用散射反差的对比来产生图形。掩模版的透明区用低 Z 材料制成，不透明区用高 Z 材料制成。不透明区不是吸收电子而是以足够大的角度散射电子，使之被光阑阻挡。这就允许使用极高的能量，从而使低 Z 材料区几乎完全透明。;17;离子束光刻; 聚焦离子束光刻机的基本原理与直写电子束光刻机大体相同，不同之处有 1、由 LMIS（单体或共晶合金）代替电子枪； 2、必须使用质量分析系统； 3、通常采用静电透镜和静电偏转器； 4、主高压的范围较宽，可以适用于曝光、刻蚀、注入等各种不同用途。; 离子束曝光技术的优点 1、离子的质量大，因此波长更短，可完全忽略衍射效应； 2、离子的速度慢，穿透深度小，曝光灵敏度高。对于各种电子束光刻胶，离子束的灵敏度均比电子束高近两个数量级，因此可缩短曝光时间，提高生产效率； 3、离子的质量大，因此散射很小，由散射引起的邻近效应小，有利于提高分辨率； 4、当采用与 X 射线类似的接近式曝光时，无半影畸变与几何畸变； 　　5、可以利用 FIB 技术直接在硅片上进行离子束刻蚀或离子注入，而完全摆脱掩模版与光刻胶；; 离子束曝光技术存在的问题; 各种光源的比较;有掩模方式 ;接触式与接近式光刻机; 二、接近式光刻机;;27;28;三 投影式光刻机;; 二、1 : 1 扫描反射投影光刻机;掩模;光源;;35;;小结;光学曝光的各种曝光方式及其利弊小结