2模拟电子技术基础简明教程杨素行 第二章.ppt

一、静态分析 V DD + u O ? i D VT ~ + ? u I V GG R G S D G R D 图 2.7.3 共源极放大电路原理电路 两种方法 近似估算法 图解法 ( 一 ) 近似估算法 MOS 管栅极电流 为零，当 u I = 0 时 U GSQ = V GG 而 i D 与 u GS 之间近似满足 2 T G S DO D ) 1 ( ? ? U u I i ( 当 u GS U T ) 式中 I DO 为 u GS = 2 U T 时的值。 2 T G SQ DO DQ ) 1 ( ? ? U U I I D DQ DD DSQ R I V U ? ? 则静态漏极电流为 ( 二 ) 图解法 图 2.7.4 用图解法分析共源极 放大电路的 Q 点 V DD D DD R V I DQ U DSQ Q 利用式 u DS = V DD ? i D R D 画出直流负载线。 图中 I DQ 、 U DSQ 即为静态值。 二、动态分析 ) , ( DS GS D u u f i ? ? i D 的全微分为 DS DS D GS GS D D d d d GS DS u u i u u i i U U ? ? ? ? ? ? 上式中定义： DS GS D m U u i g ? ? ? GS DS DS D 1 U u i r ? ? ? —— 场效应管的跨导 ( 毫西门子 mS ) 。 —— 场效应管漏源之间等效电阻。 1. 微变等效电路 一、简化的 h 参数微变等效电路 ( 一 ) 三极管的微变等效电路 ? i B ? u BE 晶体管的输入特性曲线 ? 常数 ? ? ? ? CE B B E be U i u r r be ：晶体管的输入电阻。 在小信号的条件下， r be 是一常 数。晶体管的输入电路可用 r be 等效 代替。 1. 输入电路 Q 点附近的工作段 近似地看成直线 ? 可认为 ? u BE 与 ? i B 成正比 Q O i B u BE 图 2.4.10 ( a ) 2. 输出电路 假设在 Q 点附近特性曲线基本上是水平的 ( ? i C 与 ? u CE 无关 ) ，数量关系上， ? i C 比 ? i B 大 ? 倍； ? i B ? ? i B 从三极管输出端看， 可以用 ? ? i B 恒流源代 替三极管； 该恒流源为受控源； 为 i B 对 i C 的控制。 u CE Q i C O 图 2.4.10 ( b ) 3. 三极管的简化参数等效电路 注意： 这里忽略了 u CE 对 i C 与输出特性的影响，在 大多数情况下，简化的微变等效电路对于工程计算来说 误差很小。 图 2.4.11 三极管的简化 h 参数等效电路 c b e + ? u BE ? + ? u CE ? ? i C ? i B e b c r be ? ? i B + ? u BE ? + ? u CE ? ? i C ? i B 4. 电压放大倍数 A u ； 输入电阻 R i 、输出电阻 R O C 1 R c R b +V CC C 2 R L + ? + + VT + ? i U ? O U ? be b i r I U ? ? ? 而 b L c o I R I U ? ? ? ? ? ? ? ? i o U U A u ? ? ? ? be L i o r R U U A u ? ? ? ? ? ? ? ? 所以 ) // ( L c L R R R ? ? R i = r be // R b ， R o = R c o U ? r be e b c R c R L R b b I ? c I ? b I ? ? + ? + ? i U ? 图 2.4.12 单管共射放大电路的等效电路 ( 二 ) r be 的近似估算公式 r bb ? ：基区体电阻。 r e ? b ? ：基射之间结电阻。 　　欧姆，可忽略。 只有几 ：发射区体电阻，一般 e r ? EQ EQ b e 26 I I U r T ? ? ? ? EQ b b B B E be 26 ) 1 ( d d I r i u r ? ? ? ? ? ? 低频、小功率管 r bb ? 约为 300 ? 。 U T ：温度电压当量。 c b e i B i C i E b b ? r b e ? ? r e r ? e ? b ? 图 2.4.13 电流放大倍数与电压放大倍数之间关系 讨论 1 . 当 I EQ 一定时， ? 愈大则 r be 也愈大，选用 ? 值 较大的三极管其 A u 并不能按比例地提高； EQ be L 26 ) 1 ( 300