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合工大电力电子技术第二章;第二讲 电力电子器件及其驱动电路 Power Electronic Parts and Driver;2.1 门极可关断晶闸管;GTO的结构和工作原理;GTO的结构和工作原理;GTO的结构和工作原理;导通过程:与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程
度较浅
关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门
极抽出电流，则Ib2减小，使IK和Ic2减小，Ic2的减小又使IA和Ic1减小，又进一步减小V2的基极电流
当IA和IK的减小使?1+?2<1时，器件退出饱和而关断
多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强 ;GTO的动态特性;GTO的动态特性;GTO的主要参数;GTO的主要参数;GTO的驱动;GTO的驱动;GTO的驱动;2.2 电力场效应晶体管;电力MOSFET的种类;电力MOSFET的结构;电力MOSFET的结构;电力MOSFET的工作原理;电力MOSFET的基本特性;电力MOSFET的静态特性;电力MOSFET的静态特性;电力MOSFET的静态特性;电力MOSFET的动态特性;电力MOSFET的动态特性;电力MOSFET的动态特性;电力MOSFET的动态特性;电力MOSFET的主要参数;电力MOSFET的主要参数;电力MOSFET的安全工作区;电力MOSFET的驱动;电力MOSFET的驱动;2.3 绝缘栅双极晶体管;IGBT的结构和工作原理;IGBT的结构;IGBT的工作原理;IGBT的基本特性;IGBT的静态特性;IGBT的静态特性;IGBT的动态特性;IGBT的动态特性;IGBT的动态特性;IGBT的其它特性;IGBT的主要参数;IGBT的特性和参数特点;IGBT的擎住效应和安全工作区;IGBT的擎住效应和安全工作区;IGBT的擎住效应和安全工作区;IGBT的驱动;IGBT的驱动;
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