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第三章 场效应管及其 基本电路 第二章 基本放大电路 § 3.1 结型场效应管 § 3.2 绝缘栅场效应管 § 3.3 场效应管的基本电路 N 基底 ： N 型半导体 P P 两边是 P 区 G( 栅极 ) S 源极 D 漏极 3. 1 结型场效应管 导电沟道 3.1.1 结型场效应管的结构和工作原理 一、结构 N P P G ( 栅极 ) S 源极 D 漏极 N 沟道结型场效应管 D G S D G S P N N G ( 栅极 ) S 源极 D 漏极 P 沟道结型场效应管 D G S D G S 二、工作原理（以 P 沟道为例） U DS =0V 时 P G S D U DS U GS N N I D PN 结反偏， U GS 越大则耗尽区越 宽，导电沟道越 窄。 P G S D U DS U GS I D U DS =0V 时 N N U GS 越大耗尽区越宽， 沟道越窄，电阻越大。 但当 U GS 较小时，耗尽 区宽度有限，存在导 电沟道。 DS 间相当于 线性电阻。 P G S D U DS U GS N N U DS =0 时 U GS 达到一定值时 （ 夹断电压 V P ） , 耗 尽区碰到一起， DS 间被夹断，这时，即 使 U DS ? 0V ，漏极电 流 I D =0A 。 I D P G S D U DS U GS U GS V p 且 U DS 0 、 U GD V P 时 耗尽区的形状 N N 越靠近漏端， PN 结反压越大 I D P G S D U DS U GS U GS V p 且 U DS 较大时 U GD V P 时耗尽区的形状 N N 沟道中仍是电阻 特性，但是是非 线性电阻。 I D G S D U DS U GS U GS V p U GD = V P 时 N N 漏端的沟道被夹断， 称为 予夹断。 U DS 增大则被夹断 区向下延伸。 I D G S D U DS U GS U GS V p U GD =V P 时 N N 此时，电流 I D 由未 被夹断区域中的载 流子形成，基本不 随 U DS 的增加而增 加，呈恒流特性。 I D N 沟道结型场效应管的特性曲线 转移特性曲线 U GS 0 I D I DSS V P 3.1.2 结型场效应管的特性曲线 输出特性曲线 I D U DS 0 U GS =0V -1V -3V -4V -5V N 沟道结型场效应管的特性曲线 结型场效应管的缺点： 1. 栅源极间的电阻虽然可达 10 7 以上，但在 某些场合仍嫌不够高。 3. 栅源极间的 PN 结加正向电压时，将出现 较大的栅极电流。 绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。 2. 在高温下， PN 结的反向电流增大，栅源 极间的电阻会显著下降。 3.2 绝缘栅场效应管 : 一、结构和电路符号 P N N G S D P 型基底 两个 N 区 SiO 2 绝缘层 导电沟道 金属铝 G S D N 沟道增强型 3.2.1N 沟道增强型场效应管 N 沟道耗尽型 P N N G S D 予埋了导 电沟道 G S D N P P G S D G S D P 沟道增强型 P 沟道耗尽型 N P P G S D G S D 予埋了导 电沟道 二、 MOS 管的工作原理 以 N 沟道增强型为例 P N N G S D U DS U GS U GS =0 时 D - S 间相当于 两个反接的 PN 结 I D =0 对应截止区 P N N G S D U DS U GS U GS 0 时 U GS 足够大时 （ U GS V T ）感 应出足够多电子， 这里出现以电子 导电为主的 N 型 导电沟道。 感应出电子 V T 称为阈值电压 U GS 较小时，导 电沟道相当于电 阻将 D-S 连接起 来， U GS 越大此 电阻越小。 P N N G S D U DS U GS P N N G S D U DS U GS 当 U DS 不太大 时，导电沟 道在两个 N 区 间是均匀的。 当 U DS 较大 时，靠近 D 区的导电沟 道变窄。 P N N G S D U DS U GS 夹断后，即 使 U DS 继续 增加， I D 仍 呈恒流特性 。 I D U DS 增加， U GD = V T 时， 靠近 D 端的沟道被夹断， 称为予夹断。 三、增强型 N 沟道 MOS 管的特性曲线 转移特性曲线 0 I D U GS V T 输出特性曲线 I D U DS 0 U GS 0 耗尽型的 MOS 管 U GS =0 时就有导电沟道，加反向 电压才能夹断。 转移特性曲线 0 I D U GS V T 3.2.2N 沟道耗尽型场效应管 输出特性曲线 I D U D