单晶硅生长及硅片制备技术概述.pptx

单晶硅生长及硅片制备技术概述;内容;硅晶片的生长技术;多晶硅原料制备技术;盐酸化(Hydrochlorination)处理 将冶金级硅置于流床(Fluidized-bed)反应器中通入盐酸形成三氯化硅，其过程用下式来表示： Si(s)+3HCl(g)→ SiHCl3(l)+H2(g) (2.10) 蒸馏(Distillation)提纯 将上式获得的低沸点反应物，SiHCl3置于蒸馏塔中，将它与其他的反应杂质(以金属卤化物状态存在)，通过蒸馏的过程去除。 分解(Decomposition)析出多晶硅 将上面已纯化的SiHCl3置于化学气相沉积(Chemical Vapor deposition，CVD)反应炉(Reactor)中，与氢气还原反应???得金属硅在炉中电极析出，再将此析出物击碎即成块状(Chunk)的多晶硅 另外著名的还有以四氯化硅(SiCl4)于流床反应炉中分解析出颗粒状(Granular)高纯度硅，其粒度分布约在100um至1500um之间，该方法的优点是较低制造成本(能源耗损率极低)，以及可以均匀或连续填充入晶体生长炉，实现硅单晶的不间断生长。因此它有可能取代部份块状多晶硅的原料市场。;石英坩埚的制备技术;硅单晶生长方法;单晶生长炉; 采用电阻式石墨加热器进行加热，加热器与水冷双层炉壁间有石墨制的低密度热保温材料。为了预防石英坩埚热潜变导致的坩埚破裂