单晶炉和多晶硅铸锭炉概述.pptx

单晶炉和多晶硅铸锭炉概述;一、 单晶炉;1.1 切克劳斯基法（Czochralsik： CZ 法） 1917年由切克斯基建立的一种晶体生长方法 现成为制备单晶硅的主要方法。 把高纯多晶硅放入高纯石英坩埚，在硅单晶炉内熔化；然后用一根固定在籽晶轴上的籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体熔和后，慢慢向上拉籽晶，晶体便在籽晶下端生长。 CZ 法是利用旋转着的籽晶从坩埚中的熔体中提拉制备出单晶的方法，又称直拉法;直拉单晶炉及其基本原理;优缺点;1.2悬浮区熔法（区熔法或 FZ 法）;;1.3基座法;1.4片状单晶生长法（EFG法??? ;1.5 气相生长法;1.7液相外延生长法 ;硅单晶的生产方法以直拉法和区熔法为主，世界硅单晶产量，其中70～80% 是直拉法生产，20～30%是区熔和其它方法生产的。 我国目前生产的直拉硅单晶直径普遍水平Φ40～Φ50毫米，Φ75毫米直拉单晶也能生产，但比较少，国外一般直拉硅单晶直径为Φ75～Φ100毫米，特殊的生长Φ220毫米长1.5米的单晶。 ;2 直拉单晶炉结构 ;2.1炉体;炉顶盖：炉顶盖样式也比较多，一般由铸铁制成，主要支撑籽晶轴的提拉和旋转，装有标尺，显示籽晶轴的提拉位置和提拉长度。 坩埚轴（下轴）由不锈钢制成，由双层管组成，通流动水冷却。它通过托杆、托碗支撑石英坩埚中的多晶硅，并且通过旋转、上升和下降调节热系统中坩埚内熔硅的位