模拟1 半导体器件.pptVIP

题 1-4 已知在图 P1-4 中， u I =10sin ωt(V) ,R L =1KΩ, 试对应地画 出二极管的电流 i D 、电压 u D 以及输出电压 u O 的波形，并在波形 图上标出幅值。设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。 题 1-7 在图 P1-7 中，已知电压 V=10V ,R=200Ω,R L =1KΩ ，稳压 管的 U Z =6V ，试求： （ 1 ）稳压管中的电流 I Z = ？ （ 2 ）当电源电压 V 升高至 12V 时， I Z 将变为多少？ （ 3 ）当 V 仍为 10V ， 但 R L 改为 2KΩ 时， I Z 将变为多少？ 团队活动 任务一：用万用表测试二极管的质量、区分电极。 任务二：分析讨论二极管电路的功能。 二极管的测试 黑表笔 红表笔 + — R 二极管的简单应用 AC 220V S1 S2 VD1 VD2 VD3 VD4 1.3 双极结型三极管 又称双极型三极管、半导体三极管、晶体管，简称为三极管。 三极管的外形如下图所示。 1.3.1 三极管的结构 ( a ) 硅平面型 ( NPN ) ( b ) 锗合金型 ( PNP ) N e c N P b 二氧化硅 b e c P N P 平面型 ( NPN ) 三极管制作工艺 N c SiO 2 b 硼杂质扩散 e 磷杂质扩散 P N 在 N 型硅片 ( 集电区 ) 氧 化膜上刻一个窗口，将 硼杂质进行扩散形成 P 型 ( 基区 ) ，再在 P 型区 上刻窗口，将磷杂质进 行扩散形成 N 型（发射 区）。引出三个电极即 可。 N b e c P P 在 N 型锗片 ( 基区 ) 两边 各置一个铟球并加热， 铟被熔化并与 N 型锗接 触，冷却后形成两个 P 型区，引出三个电极即 可。集电区接触面大， 发射区掺杂浓度高。 合金型（ PNP ）三极管制作工艺 图 1.3.3 三极管结构示意图和符号 —— NPN 型 e c b 符号 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 基极 b 发射极 e N N P 集电区 集电结 基区 发射结 发射区 集电极 c 发射极 e 基极 b c b e 符号 N N P P N 图 1.3.3 三极管结构示意图和符号 —— PNP 型 1.3.2 三极管中载流子的运 动和电流分配关系 1. 三极管中载流子的运动 （以 NPN 型三极管为例） c N N P e b b e c 表面看 三极管若实 现放大，必须从 三极管内部结构 和 外部所加电源 的极性 来保证。 不具备 放大作用 三极管内部结构要求： N N P e b c N P 1. 发射区高掺杂。 2. 基区做得很薄 。而且 掺杂 较少 。 三极管放大的外部条件 ： 发射结处于正向偏置 集电结处于反向偏置 3. 集电结面积大。 V BB V CC b e c R c R b I E I B I C 满足内外部条件时三极管中载流子的运动 发射（ I E ） 复合和扩散（ I Bn ） 收集（ I Cn 、 I CBO ） b e c e R c R b 2. 三极管的电流分配关系 I CBO I C I B I E I Bn I Cn I C = I Cn + I CBO I E = I Cn + I Bn 共基直流电流放大系 数 E C E Cn I I I I α ? ? B C I I β ? α 1 α ? ? 共射直流电流放大系 数 I E = I C + I B I B = I Bn － I CBO I B + U BE _ b c e 1. 输入特性 常数 ? ? CE ) ( BE B U U f I ★ U CE = 0 时： c e b I B + U BE _ 1.3.3 三极管的特性曲线 ★ U CE ＞ 0 时： 有利于将发射区扩散到基区 的电子收集到集电极。 V 2 CE ? U V / BE U O 0 CE ? U I B / ? A 2. 输出特性 常数 B ? ? i CE C ) f( I U 发射结反偏，集电结反偏 发 射 结 正 偏， 集 电 结 反 偏 发 射 结 正 偏， 集 电 结 正 偏 1.3.4 三极管的主要参数 I C I E + C 2 + C 1 V EE R e V CC R c ( b ) 共基极接法 V CC R b + V BB C 1 T I C I B C 2 R c + ( a ) 共发射极接法 （ 1 ） 共射电流放大系数 ? B C Δ Δ I I ? ? （ 2 ） 共射直流电流放大系数 ? 忽略穿透电流 I CEO 时， B C I I ? ? （ 3 ） 共基电流放大系数 ? E C Δ Δ I I ? ? （ 4