2020第四章非平衡载流子.pptVIP

? 三种释放能量的方式 : 发射光子 ( 以光子的形式释放能量 ) — 辐射复合 ( 光跃迁 ) 发射声子 ( 将多余的能量传给晶格 ) — 无辐射复合 ( 热跃迁 ) Auger 复合 ( 将多余的能量给予第三者 ) -- 无辐射复合 ( 三粒子过程 ) ★ 直接复合 ( 直接辐射复合 ) ①复合率 ( 单位时间 , 单位体积内复合掉的 电子 - 空穴对数 ): R = γ np, γ - 直接复合系数 R- 1/(cm 3 · S), γ -(cm 3 /S) ? 对非简并半导体 , γ=γ(T) ? 这里的”复合” , 不是净复合 . ②产生率 ( 单位时间 , 单位体积内产生的电 子 - 空穴对数 ): G = γ n i 2 ? 这里的”产生” , 与外界因素无关 . ③净复合率 : U d = - d △ p(t)/dt = △ p/ τ 2 U d =R-G = γ( np- n i ) ④ 寿命 : ? p 1 ? ? ? U d ? ( n 0 ? p 0 ? ? p ) ? 小注入条件下 : 1 ? ? ? ( n 0 ? p 0 ) ★ 间接复合 间接复合 — 非平衡子通过复合中心的复合 ① 四个基本跃迁过程： A. 电子俘获 B. 电子产生 C. 空穴俘获 D. 空穴产生 Nt A. 电子俘获率 ： R a