2020第四章离子注入.pptVIP

* 离子注入结深计算 N ( x j ) ? ? ? x ? R p N S 1 exp ? ? ? D R ? 2 ? 2 ? D R p p ? ? ? ? ? ? 2 ? ? ? N B ? ? x j ? R p ? D R p ? 2 ln ? ? ? N s ? 1 ? 2 ? D R p N B ? ? ? 4.2.2 横向效应 横向系数 : B S b, 约 0.5 但比热扩散小 (0.75-0.85) 4.2.3 沟道效应 入射离子的阻挡作用与晶体取向有关 , ? 可能沿某些方向由原子列包围成直通道 －－沟道，离子进入沟道时，沿沟道前进 阻力小，射程要大得多。 ? 沿 110 轴的硅晶格视图 Used with permission from Edgard Torres Designs 离子入射角与沟道 100 110 111 Used with permission from Edgard Torres Designs ? 解决办法，偏离此方向，以大于临界角注入。 离子注入到无定形靶中的高斯分布情况 4.2.4 浅结的形成 随集成度的提高，为了抑制 MOS 晶体管的穿通电流和减小器件的短沟道 效应。要求减小 CMOS 的源、漏结的结深。而且 CMOS 器件还要求高的表 面掺杂浓度、低接触电阻以及小的结漏电流。 浅结制造困难较多，①如硼注入形成浅 P