2020第七章 半导体存储器.ppt

《数字电子技术基础》第五版 一、用紫外线擦除的 PROM （ UVEPROM ） SIMOS ( Stacked ? gate Injuction MOS ) 叠栅注入 MOS 管 G c : 控制栅 G f : 浮置栅 《数字电子技术基础》第五版 叠栅注入 MOS 管 工作原理： 读 出 若 G f 上充以负电荷，则 G c 处正常逻辑高电平下不 导通 若 G f 上未充负电荷，则 G c 处正常逻辑高电平下导 通 充 电 放 电 “写入”：雪崩注入 , D ? S 间加高压 ( 20 ~ 25 V ), 发生 雪崩击穿 , 同时在 G c 上加 25 V , 50 ms 宽的正脉冲， 吸引高速电子穿过 SiO 2 到达 G f , 形成注入电荷。 通道 , 紫外线照射 20 ~ 30 分钟 （阳光下一周，荧光灯 下 3 年） “擦除”：通过照射产 生电子 ? 空穴对，提供泄放 《数字电子技术基础》第五版 二、电可擦除的可编程 ROM （ E 2 PROM ） 为克服 UVEPROM 擦除慢，操作不便的缺 点 采用 FLOTOX ( 浮栅隧道氧化层 MOS 管 ) 选通管 存储管 G f 与 D 之间有小的隧道区， SiO 2 厚度 ? 2 ? 10 m 当场强达到一定大小（ 10 V / cm ） , 电子会穿越隧道 ? ? ? “隧道效应” 7 ? 8 《数字电子技术基础》第五版 浮栅隧道氧化层 MOS 管 工作原理 读出状态 擦除（写 1 ） 写入（写 0 ） 充电： W , G 加 20 V 、 放电： G 接 0 ， W i 接 5 V 高压， G C 加 ? 3 V ， i C C 10 ms 正脉冲， B 接 0 , j W i , B j 加正脉冲， G f 充负电荷后， T 1 截止 , 强电场吸引漏区电子 G 上电荷经隧道 f B j 上读出 （高电平）； 1 通过隧道区到达 G f ， 区放电 , Flotox 管 G f 未充负电荷， T 1 导通 , 形成存储电荷 ? 充电， 开启电压降为 0 . B j 上读出 （低电平）。 0 Flotox 管开启电压提高 《数字电子技术基础》第五版 三、快闪存储器（ Flash Memory ） 为提高集成度，省去 T2 （选通管） 改用叠栅 MOS 管（类似 SIMOS 管） G f 与衬底间 S i O 2 更薄（ 10 ~ 15 nm ） * 工作原理： G f 与 S 区有极小的重叠区 ? （隧道区） 向 G f 充电利用雪崩注入方式 ， G f 放电，利用隧道效应 D ? S 加正压（ 6 V ）， V ss 接 0 G c 加 12 V ， 10 us 的正脉冲 G c ? 0 , V ss 加 12 V , 100 ns 的正脉冲 G f 上电荷经隧道区放电 《数字电子技术基础》第五版 7.3 随机存储器（ RAM) 随机存储器通常是指能够在存储器中任意 指定的地方 随时写入（存入）或读出（取出） 信息的存储器，也叫 读 / 写存储器 。 根据存储单元的工作原理， RAM 分为 静态 RAM —— SR 锁存器 + 附加门控管 动态 RAM —— MOS 管栅极电容可以存储电荷 《数字电子技术基础》第五版 7.3.1 静态随机存储器（ SRAM ） 一、结构与工作原理 SRAM 通常由 存储矩阵 、 地址译码器 和 读 / 写控制电路 组成。 《数字电子技术基础》第五版 SRAM 的组成结构 存储矩阵： 由许多存储单元排列而成。每个存储单 元能存储 1 位二值数据。在译码电路和读 / 写电路的 控制下，既可以写入也可以读出数据。 地址译码电路： 一般分为 行地址译码器 和 列地址译 码器 。由它们的输出共同确定要选择的地址单元。 读 / 写控制电路： 用于对电路工作状态的控制。 R/W ‘ —— 当读 / 写控制信号 R/W =1 时，执行读 操作。当读 / 写控制信号 R/W =0 时，执行写操作。 CS —— 为 0 时 RAM 正常工作；为 1 时 I/O 为高阻。 《数字电子技术基础》第五版 RAM 2114 （ 存储容量 1024 × 4 ） 《数字电子技术基础》第五版 二、 SRAM 的存储单元 静态存储单元是在 SR 锁存器的基础上附加门控管构成 T 1 ~T 4 : 组成基本触发器， 用于记忆一位二值代码。