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1-1 2.4 绝缘栅双极晶体管 两类器件取长补短结合而成的复合器件 — Bi-MOS 器件 绝缘栅双极晶体管（ Insulated-gate Bipolar Transistor —— IGBT 或 IGT) GTR 和 MOSFET 复合，结合二者的优点。 1986 年投入市场，是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量，以期再取代 GTO 的地位。 GTR 和 GTO 的特点 —— 双极型，电流驱动，有电导调制效应， 通流能力很强，开关速度较低，所需驱动功率大，驱动电路复杂。 MOSFET 的优点 —— 单极型，电压驱动，开关速度快，输入阻 抗高，热稳定性好，所需驱动功率小而且驱动电路简单。 1-2 2.4 绝缘栅双极晶体管 1) IGBT 的结构和工作原理 三端器件：栅极 G 、集电极 C 和发射极 E E G C N + N - a) P N + N + P N + N + P + 发射极 栅极 集电极 注入区 缓冲区 漂移区 J 3 J 2 J 1 G E C + - + - + - I D R N I C V J1 I D R on b ) G C c ) 图 1-22 IGBT 的结构、简化等效电路和电气图形符号 a) 内部结构断面示