2020第七章半导体存储器.pptVIP

工作原理（以地址 00 为例，其它同理） 0 0 1 0 0 0 D 3 D 2 D 1 D 0 存储数据表 W 0 W 1 W 2 W 3 位线、字线和地址线的关系 D 0 = W 0 + W 1 + W 3 = A 1 A 0 + A 1 A 0 + A 1 A 0 D 1 = W 1 + W 2 = A 1 A 0 + A 1 A 0 D 2 = W 1 + W 2 + W 3 = A 1 A 0 + A 1 A 0 + A 1 A 0 D 3 = W 0 + W 2 = A 1 A 0 + A 1 A 0 1 0 0 1 ? 字线 W 0 和位线交叉处上的二极管导通，使 D 3 D 0 =11 ， ? 其它字线上的二极管截止， D 2 D 1 =00 。 21 为了便于表达和设计，通常将左图简化。 有“码点”的存储单元表示存 1 无“码点”的存储单元表示存 0 22 7.2.2 可编程只读存储器 在出厂时存储全部为 “ 1 ” 或“ 0 ”，用户可根据 需要将某些单元改写为 “ 0 ”或“ 1 ”，然而只能 改写一次，称其为 PROM 。 在编程前，存储矩阵中的全部 存储单元的熔丝都是连通的，即每 个单元存储的都是 1