主存储器_修改过.pptVIP

(2) 再生 DRAM 是通过把电荷充积到 MOS 管的栅极电容或专门 的 MOS 电容中去来实现信息存储的。但是由于电容漏 电阻的存在，随着时间的增加，其电荷会逐渐漏掉， 从而使存储的信息丢失。为了保证存储信息不遭破坏， 必须在电荷漏掉以前就进行充电，以恢复原来的电荷。 把这一充电过程称为再生，或称为刷新 。对于 DRAM ， 再生一般应在小于或等于 2ms 的时间内进行一次。 SRAM 则不同，由于 SRAM 是以双稳态电路为存储单 元的，因此它不需要再生。 DRAM 采用“读出”方式进行再生 。前面已经讲过， 对单管单元的读出是一种破坏性读出 ( 若单元中原来充 有电荷，读出时， C S 放电 ) ，而接在单元数据线上的读 放是一个再生放大器，在读出的同时，读放又使该单 元的存储信息自动地得以恢复。由于 DRAM 每列都有 自己的读放，因此，只要依次改变行地址，轮流对存 储矩阵的每一行所有单元同时进行读出，当把所有行 全部读出一遍，就完成了对存储器的再生 ( 这种再生称 行地址再生 ) 。 (3) 时序图 DRAM 有以下几种工作方式： 读工作方式，写工作 方式，读 - 改写工作方式，页面工作方式和再生工作 方式。 下面介绍这几种工作方式的时序图，在介绍时序图 前，先介绍 RAS ， CAS 与地址 Adr 的相互关系 ( 图 4.10)