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数 字 逻 辑 Digital Logic 广义双语教学课程 青岛理工大学 课程网站: 211.64.192.58 1 第 7 章 半导体存储器和可编程逻辑器件 Memory and Programmable logic device ( 1 ) Flash memory is a non-volatile computer storage technology that can be electrically erased and reprogrammed. Flash memory costs far less than byte-programmable EEPROM and therefore has become the dominant technology wherever a significant amount of non-volatile, solid state storage is needed. 2 7.1 半导体存储器概述 能存储大量二值信息的器件。 1 、从存 / 取功能分 ① 只读存储器 ( ROM , Read-Only-Memory ) ② 随机读 / 写存储器 ( RAM , Random-Access-Memory ) 2 、从工艺分 ① 双极型 ( Bipolar Transistor ) ② MOS 型 ( Metal-Oxide-Semiconductor ) ★ 单元数庞大 ★ 输入 / 输出引脚数目有限 3 半导体存储器 IC 双极型 随机 ( 读写 ) 存储器 Random Access Memory (RAM) 只读存储器 Read Only Memory (ROM) MOS 型 SRAM SRAM DRAM Static RAM Dynamic RAM 掩膜 ROM PROM 可编程序只读存储器 EPROM 可擦除的可编程序只读存储器 E 2 PROM 电可擦除的可编程序只读存储器 Flash Memory 快闪存储器(电可擦除) 半导体 RAM 在断电后数据会丢失 , 属于易失性 (V olatile) 存储器 只读存储器属于非易失性存储器。 4 半导体存储器芯片 Memory Chip 存储器芯片内部: 地址线条数 K , 可寻址 2 K 单元 A 1 地 Y 0 A 1 址 Y 1 译 Y 2 A 0 码 Y 3 器 存储单元 00 存储单元 01 A 0 存储单元 10 存储单元 11 A memory unit is a collection of storage cells together with associated circuits needed to transfer information in and out of storage. The memory stores binary information in groups of bits called words. Each word in memory is assigned an identification number, called an address, starting from 0 and continuing with 1,2,3, up to 2 k -1 where k is the number of address lines. 存储单元增加,地址线条数也迅速增加,地址译码器变复杂 5 半导体 RAM 芯片内部 4 × 4 存储矩阵 Row Address A 1 A 0 行 地 址 译 码 11 10 01 00 11 10 01 00 读 写 控 制 列地址译码 A 3 A 2 三 态 输 出 I/O Column Address CS R / W Chip Select The selection of a specific word inside the memory is done by applying the k-bit binary address to the address lines. A
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