霍尔效应实验以及磁阻测量.docxVIP

【实验名称】 霍尔效应实验及磁阻测量 【实验目的 】 1）了解霍尔效应的产生原理以及副效应的产生原理； 2）掌握霍尔系数的测量方法，学习消除霍尔副效应的实验方法； 3）研究半导体材料的电阻值随磁场的变化规律。 【实验原理】 Ⅰ霍尔效应 霍尔最初的实验是这样的： 在一块长方形的薄金属板两边的对称点 1 和 2 之间接一个灵敏电流计（如图 3.7.1 所示），沿 x 轴正方向通以电流 I 。若在 z 方向不加磁场，电流计不显示任何偏转，这说明 1 和 2 两点是等电位的。 若在 z 方向加上磁场 B ，电流计指针立即偏转，这说明 1、2 两点间产生了电位差。霍尔发现这个电位差与电流强度 I 及磁感应强度 B 均成正比，与板的厚度 d 成反比，即 其中 UH 为霍尔电压， RH为霍尔系数， HH K Rd = 为霍尔片的灵敏 度。 公式（3.7.1 ）在当时是一个经验公式，现在可以用洛仑兹力来 加以说明。试考虑一块厚度为 d 、宽度为 b 、长度为 l 且较长的半 导体材料制成的霍尔片， 如图 3.7.2 所示。设控制电流 I 沿 x 轴正 向流过半导体，如果半导体内的载流子电荷为 e（正电荷，空穴型）， 平均迁移速度为 v ，则载流子在磁场中受到洛仑兹力的作用， 其大小 为： f B=evB （ 3.7.2 ） 在 fB 的作用下，电荷将在元件的两边积累且形成一横向电场 E，该 电场对载流子产生一个方向和 fB 相反的静电场力 fE ，其大小为： f E=eE （ 3.7.3 ） f E 阻碍着电荷的进一步积累，最后达到平衡状态时有 f B = f ，即 E evB=eE=eUH/b。于是 1 、2 两点间的电位差为： U =vbB （ 3.7.4 ） H 控制电流 I 与载流子电荷 e、载流子浓度 n、载流子漂移速度 v 及霍 尔片的截面积 bd 之间的关系为 I=nevbd ，则 UH=IB/ned （ 3.7.5 ） 和（ 3.7.1 ）式相比较后可以看出，霍尔系数及霍尔片的灵敏度分别 为 R =1/ne （ 3.7.6 ） H K =R /d （ 3.7.7 ） H H 若霍尔电压 UH用 V 为单位，霍尔片的厚度 d 用 m 为单位，电流 I 用 A为单位，磁感应强度 B 用 T 为单位，则霍尔系数的单位是 m3／C（米 3／库仑）。 【说明】： 式（ 3.7.6 ）和（ 3.7.7 ）对大多数金属是成立的，但对 霍尔系数比金属高得多的半导体材料来说，是不准确的。 本次实验简化计算， A近似为 1。 Ⅱ磁电阻效应 在一定条件下，导电材料的电阻值 R随磁感应强度 B 的变化规律称为 磁电阻效应。其中正常磁电阻的应用十分普遍。 锑化铟传感器是一种 正常磁电阻，有着十分重要的应用价值。 在正常磁电阻情况下半导体 内的载流子将受洛伦兹力的作用， 发生偏转，在两端产生积聚电荷并 形成霍尔电场。如果霍尔电场作用和某一速度的载流子受到的洛伦兹 力作用刚好抵消， 那么小于或大干该速度的载流子将发生偏转。 因此 沿外加电场方向运动的载流子数目将减少， 电阻增大，表现出横向磁 电阻效应。如图 3.7.4 所示，如果将 A、B 端短接，则霍尔电场将不 存在，所有电子将向 A 端偏转，也表现出磁电阻效应。 设磁阻器件 在零磁场时电阻及电阻率分别为 R(0) ，ρ(o) ，磁场为 B 时电阻及电阻率分别为 R(B)，ρ(B) 。通常以电阻率的相对改变量Δρ / ρ(0) 表示磁阻，Δρ =ρ(B)- ρ(0) ，而 R/R(0) ∝Δρ / ρ(0) ，其中 R=R(B)-R(0) 。理论计算和实验都证明了在磁场较弱时，一般正常磁阻器件的 R/R(0) 正比于 B2，而强磁场条件下 R/R(0) 则为 B 的一 次函数（如图 3.7.5 曲线所示） 。对于实验所用器件， B≤ 0.06T 可看作弱磁场条件， B≥ 0.12T 可看作强磁场条件。值得注意的是， R/R(0) 与电流输入端 C、D的状态（恒流或恒压）及 A、B 输出端是 短路还是开路有关，因 此实验结果应注明工作条件。在实验中推荐 C、 D 端恒流， A 、 B 端短路的工作条件，因为此时 R/R(0) 最大。 【实验内容】 设计和安装实验电路，电路如右 测量霍尔片输出电压 UH与输入电流 I 的关系曲线，要求电流源 2.00 ～8.00mA， 间隔 1.00mA，每个测量点应测 4 组数据。 课后画出 UH～I 关系曲线，计算霍尔片的 灵敏度 KH 和载流子浓度 n 。 (*3) 判断载流子的类型是空穴还是电子。 (*4) 测定磁极间隙磁场的分布曲线。 研究锑化铟磁阻器件的磁电阻效应（ A、B 端短路条件），本实验 要求测量磁电阻 R/R(0)