各向异性磁电阻，巨磁电阻测量.docVIP

实验 10.1 各向异性磁电阻、巨磁电阻测量 一. 实验目的 初步了解磁性合金的 AMR，多层膜的 GMR，掺碱土金属稀土锰氧化物的CMR； 初步掌握室温磁电阻的测量方法。 二．实验原理 一般磁电阻是指在一定磁场下材料电阻率改变的现象。 通常将磁场引起的电阻率变化写成 ρ =ρ（ H）-ρ（0），其中 ρ（ H）和 ρ（ 0）分别表示在磁场 H 中和无磁场时的电阻率。磁电阻的大小常表示为： 其中 ρ 可以是 ρ （ 0）或 ρ （ H）。 绝大多数非磁性导体的 MR 很小， 约为 10-5 % ，磁性导体的 MR 最大为 3%~5%，且电阻 率的变化与磁场方向与导体中电流方向的夹角有关， 即具有各向异性， 称之为各向异性磁电 阻，简记为 AMR。 1988 年，在分子束外延制备的 Fe/Cr 多层膜中发现 MR 可达 50%，并且在薄膜平面上磁 电阻是各向同性的。人们把这称之为巨磁电阻，简记为 GMR。 1994 年，人们又发现 Fe/ Al2O3 / Fe隧道结在 4.2K 的 MR 为 30%，室温达 18%，这种大 的磁电阻效应，人们将之称为隧道结磁电阻，简记为 TMR。 20 世纪 90 年代后期，人们在掺碱土金属稀土锰氧化物中发现 MR 可达 103% ~ 106% ， 称之为庞磁电阻，简记为 CMR。 各向异性磁电阻 (AMR) 一些磁性金属和合金的 AMR 与技术磁化相对应，即与从退磁状态到趋于磁饱和过程的 相应的电阻变化。 外加磁场与电流方向的夹角不同， 饱和磁化时的电阻率不一样， 即有各向 异性。通常取外磁场方向与电流方向平行和垂直两种情况测量 AMR，即有 (0) // // 和 - （0）。若退磁状态下磁畴是各向同性分布的，畴壁散射变化对磁电阻的贡 献较小， 将之忽略，则 与平均值 av 1/ 3( // 2 ) 相等。 大多数材料 // (0) ， （0） 故 AMR 通常定义为 如果 0 av ，则说明该样品在退磁状态下有磁畴织构，即磁畴分布非完全各向同性。图 10.1 - 3 是曾用作磁盘读出磁头和磁场传感器材料的 Ni81Fe19 的磁电阻曲线，很明显 // (0) ， (0) ，各向异性明显。图中双峰是材料的磁滞引起的。图 10.1 - 4 是一 些铁磁金属与合金薄膜的各向异性磁电阻曲线。 多层膜的巨磁电阻 (GMR) 巨磁电阻效应首次在 Fe/Cr 多层膜中发现， 其室温下的 MR 约 11.3%，4.2K 时约为 42.7%； Co/Cu 多层膜室温 MR 可达 60%~80%，远大于 AMR，故称为巨磁电阻。这种巨磁电阻的特 点是： (1) 数值比  AMR 大得多。 (2) 基本上为各向同性。图中高场部分的双线分别对应于  （ MR） 和（ MR） ，其差值为 // AMR 的贡献。该多层膜在  300K 和 4.2K 下分别为  0.35%和  2.1%。约为其  GMR 的二十分之一。 (3) 多层膜磁电阻按传统定义  MR  [ (H)  (0)] /  (0) 100% 是负值，恒小于 100%；常采用另一定义  GMR  [  (0)  (H)]/  ( H )  100%  ，用此定义数值为正，且可 大于 100%。 中子衍射直接证实，前述多层膜相邻铁磁层的磁化为反铁磁排列，来源于层间的反 铁磁耦合。 无外磁场时， 各层 M s 反平行排列，电阻最大；加外磁场后， 各层 M s 平行排列， 电阻最小。如图 10.1 - 6 所示。 (5) 多种磁性材料多层膜都有 GMR，但并不是所有多层膜都有大的磁电阻，有的很小， 甚至只观察到 AMR。 图 10.1 - 5 为这种多层膜的磁电阻曲线。 图 10.1 - 7 是 Si(100) / Fe(2.2nm) /[ Co2nm/ Cu2.1nm]15 多层膜的磁电阻曲线。 3. 掺碱土金属稀土锰氧化物的庞磁电阻 (CMR) 图 10.1 - 8 是 Nd0.7 Sr0.3 MnO3 薄膜样品的电阻率、磁电阻随温度变化关系。该样品的 MR 106% 。 到目前为止， 对 RE1 xTxMnO3 ( RE , Pr , , ; T , , , ) ，在 x=0.2~0.5 La Nd Sm Ca Sr Ba Pb 范围内都观测到 CMR 和铁磁性。这种 CMR 的特点为： 数值远大于多层膜的 GMR； 各向同性； 负磁电阻性，即磁场增大，电阻率降低； CMR 总是出现在居里温度附近 （T Tc），随温度升高或降低，都会很快降低； 目前只有少部分材料的居里点高于室温； 观察这类材料 CMR 的外加磁场比较高，一般需Tesla量级。