CMOS反相器的版图设计（2020年十二月整理）.pdfVIP

实验一：CMOS反相器的版图设计 一、实验目的 1、创建 CMOS 反相器的电路原理图(Schematic)、电气符号(symbol)以及版 图(layout); 2、利用’gpdk090’工艺库实例化MOS 管； 3、运行设计规则验证(DesignRuleCheck,DRC)确保版图没有设计规则错误。 二、实验要求 1、打印出完整的CMOS反相器的电路原理图以及版图； 2、打印CMOS反相器的DRC报告。 三、实验工具 Virtuoso 四、实验内容 1、创建CMOS反相器的电路原理图； 2、创建CMOS反相器的电气符号； 3、创建CMOS反相器的版图； 4、对版图进行DRC验证。 1 1、创建CMOS反相器的电路原理图及电气符号图 首先创建自己的工作目录并将/home/iccad/cds.lib 复制到自己的工作目录下（我的 工作目录为/home/iccad/iclab），在工作目录内打开终端并打开 virtuoso(命令为 icfb). 在打开的icfb–log 中选择tools-LibraryManager,再创建自己的库，在当前的 对话框上选择File-New-Library,创建自己的库并为自己的库命名（我的命名为 lab1），点击OK后在弹出的对话框中选择Attachtoanexitingtechfile 并选择 gpdk090_v4.6 的库，此时Librarymanager 的窗口应如图1所示： 图1 创建好的自己的库以及inv 创建好自己的库之后，就可以开始绘制电路原理图，在Librarymanager 窗口 中选中lab1,点击File-New-Cellview,将这个视图命名为inv(CMOS 反相器)。需 要注意的是 LibraryName 一定是自己的库，ViewName 是 schematic,具体如图 2 所示： 图2inv 电路原理图的创建窗口 点击OK 后弹出 schematicediting 的对话框，就可以开始绘制反相器的电路 原理图(schematicview)。其中nmos(宽为120nm,长为100nm.)与pmos(宽为240nm, 长为 100nm.)从gpdk090_v4.6 这个库中添加，vdd 与gnd 在analogLib 这个库中 添加，将各个原件用wire 连接起来，连接好的反相器电路原理图如图3所示： 2 图3inv 的电路原理图 对电路原理图检查并保存 （左边菜单栏的第一个，checkandsave），接下来 创建CMOS反相器的电气符号图(创建电气符号图是为了之后在其他的门电路中 更 方 便 的 绘 制 电 路 原 理 图 ) 。 在 菜 单 栏 中 选 择 design-Createcellview-Fromcellview，在 symbolediting 中编辑反相器的电气符 号图，创建好的symbol如图4 所示： 图4inv 的电气符号图 2、创建CMOS反相器的版图 接下来可以创建并绘制 CMOS 反相器的版图，在 LibraryManager 中选择 File-new-cellview，将viewname改为layout,tool改为virtuoso,具体如图5所示： 3 图5inv 版图的创建窗口 点击OK ，会弹出两个对话框，一个LSW 和一个layoutediting 在弹出来的 layoutediting 中进行版图的绘制，利用快捷键‘i’在gpdk090_v4.6 选择nmos 和pmos, 并将pmos 摆放至nmos 的上方，为方便确认各个金属或者mos 管的距离或者长 度，可以使用尺子作为辅助，使用快