光纤通信技术第三章光源与光的发射系统.ppt

3.1 半导体材料中的光电效应 3.2 半导体激光器（LD） 3.3 半导体发光二极管（LED） 3.4 新型半导体激光器 3.5 光源的调制 3.6 光发射机;3.1.1 能级与能带;2．原子的能级;3．晶体的能带 ;原子中的电子可以通过和外界交换能量的方式发生量子跃迁，或称能级的跃迁。若跃迁过程中交换的能量是热运动的能量，称为热跃迁；若交换的能量是光能，则称为光跃迁。后者是研究光与物质相互作用的基础。;爱因斯坦指出，光与物质的相互作用存在着三种不同的基本过程： 受激吸收 自发辐射 受激辐射 这三种物理过程表明，在光与物质的相互作用时，光可以被物质吸收，也可以从物质中发射出来。;在正常状态下，电子处于低能级E1上，在频率为f=(E2-E1)/h的入射光子的激发下，低能级E1上的电子将会吸收外来光子的能量，而跃迁到高能级E2上，这个过程叫做受激吸收过程。 ;受激吸收的特点如下： ①受激吸收过程必须在入射光子的激发下才会产生，因此是受激跃迁。 ②入射光子的能量要等于电子跃迁的能级之差。 ③受激跃迁的过程不是放出能量，而是消耗外来光能。 ;处于高能级E2上的电子是不稳定的，即使在没有受到外界激发的情况下也会自发地向低能级E1上跃迁，与空穴复合，发射出一个能量为E=E2-E1的光子，称为光的自发辐射过程。 ;自发辐射的特点如下： ①自发辐射过程是在没有外界作用的条件下自发产生的，是自发跃迁。 ②由于发射出光子的频率取决于所跃迁的能级，而发生自发辐射的高能级不只是一个，可以是一系列的高能级，因此，辐射出的光子的频率不同，频率范围很宽。 ③ 即使跃迁过程满足相同的能级差（光子频率一致），它们也是独立的、随机的辐射，产生的光子仅仅能量相同而彼此无关，各列光波可以有不同的相位与偏振方向，并且向空间各个角度传播，是一种非相干光 ;在高能级E2上的电子，在受到入射光的作用下，将会被迫跃迁到低能级E1上与空穴复合，释放出一个能量为E=E2-E1的光子，产生光辐射，叫做受激辐射 。 ;受激辐射的特点如下： ① 入射光子的能量等于跃迁的能级之差。 ② 受激辐射产生的光子与感应光子是全同光子，不???频率相同，而且相位、偏振方向、传播方向都相同，因此产生的是相干光。 ③ 受激辐射过程实质上是对外来入射光的放大过程 ;3.1.3 激光器的一般工作原理;1. 粒子数反转分布 ;1. 粒子数反转分布 ;2. 激光器的基本组成;光学谐振腔;光学谐振腔;光学谐振腔;3. 激光器的阈值条件和相位平衡条件;3. 激光器的阈值条件和相位平衡条件;3. 激光器的阈值条件和相位平衡条件;3. 激光器的阈值条件和相位平衡条件;例：一个GaAlAs/GaAs半导体激光器，其工作波长为850nm，谐振腔内材料的折射率n=3.57，腔长L=300μm，求其纵模模数以及纵模间的波长间隔。 解： ;3.1 半导体材料中的光电效应 3.2 半导体激光器（LD） 3.3 半导体发光二极管（LED） 3.4 新型半导体激光器 3.5 光源的调制 3.6 光发射机;3.2.1 半导体激光器工作原理;1. 本征半导体的能带分布 本征半导体是指没有任何杂质和晶体缺陷的理想半导体，各原子最外层的电子轨道产生不同程度的交叠，从而使半导体的能级不是分立的而是一个能带。 ;2．费米能级;; 一般状态下，本征半导体的电子和空穴是成对出现的，用Ef 位于禁带中央来表示。 在本征半导体中掺入施主杂质，称为N型半导体，N型半导体能带图中，费米能级的位置比本征半导体要高，一直伸入到导带中。 在本征半导体中，掺入受主杂质，称为P型半导体，P型半导体能带图中，费米能级的位置比本征半导体要低，进入价带。 ;本征半导体的能带分布 ;N型半导体和P型半导体重掺杂能带图; 在P型和N型半导体组成的PN结界面上，由于存在多数载流子(电子或空穴)的梯度，因而产生扩散运动，形成内部电场。 内部电场产生与扩散相反方向的漂移运动，直到P区和N区的Ef 相同，两种运动处于平衡状态为止，结果能带发生倾斜。;零偏压时P - N结的能带倾斜图；; 增益区的产生： 在PN结上施加正向电压，产生与内部电场相反方向的外加电场，结果能带倾斜减小，扩散增强。电子运动方向与电场方向相反，便使N区的电子向P区运动，P区的空穴向N区运动，最后在PN结形成一个特殊的增益区。 增益区的导带主要是电子，价带主要是空穴，结果获得粒子数反转分布。 在电子和空穴扩散过程中，导带的电子可以跃迁到价带和空穴复合，产生自发辐射光。 ;正向偏压下P - N结能带图