2021年全国高等教育自学考试电子技术基础样本.docVIP

全国4月高等教育自学考试 电子技术基础（一）试题 课程代码：02234 一、单项选择题（本大题共16小题，每小题2分，共32分） 在每小题列出四个备选项中只有一个是符合题目要求，请将其代码填写在题后括号内。错选、多选或未选均无分。 1．要得到P型杂质半导体，在本征半导体硅或锗晶体中，应掺入少许（ ） A．三价元素 B．四价元素 C．五价元素 D．六价元素 2．理想二极管组成电路如题2图，其输出电压u0为（ ） A．-6V B．0V C．+3V D．+9V 3．某锗三极管测得其管脚电位如题3图所表示，则可判定该管处于（ ） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．无法确定伏态 4．场效应管转移特征如题4图所表示，则该管为（ ） A．P沟道增强型FET B．P沟道耗尽型FET C．N沟道增强型FET D．N沟遭耗尽型FEI 5．三种组态放大电路中，共基极放大电路特点是（ ） A．u0和ui反相能放大电流 B．u0和ui同相能放大电压 C．u0和ui同相能放大电流 D．u0和ui反相能放大功率 6．已知某基础共射放大电路ICQ=1mA，UCEQ=6V，管子饱和压降Uces=1V，Rc=RL= 4KΩ，则该放大电路最大不失真输出电压幅值为（ ） A．1V B．2V C．5V D．6V 7．在双端输入单端输出差动放大电路中，差模电压放大倍数Ad2=50，共模电压放大倍数Ac=0.5，若输入电压uil=80mV，ui2=60mV，则输出电压uo2为（ ） A．-1.035V B．-0.965V C．+0.965V D．+1.035V 8.题8图所表示电路，集成运放最大输出电压为±12V，下列说法正确是（ ） A．ui=1V，u0=-12V B．ui=2V，u0=-12V C．ui=4V，u0=-12V D．ui=5V，u0=+12V 9．单相桥式整流电路变压器次级电压为15V(有效值)，则每个整流二极管所承受最大反向电压为（ ） A．15V B．21.21V C．30V D．42.42V 10.十进制数(67)10所对应十六进制数为（ ） A．(43)16 B．(61)16 C．(86)16 D．(C2)16 11．函数F(A，B，C)=AB+最小项表示式为（ ） A．F=∑(0，2，4，6，7) B．F=B+AC C．F=∑(1，3，5) D．F=∑(0，1，2，3，7) l2．函数F=AB+AC+A+DE最简和或式为（ ） A．F=A B．F=BC+A C．F=A+DE D．F=A+DE 13．题13图所表示电路中，次态方程Qn+1为（ ） A．(A+B)+AQn B．(A+B)+ Qn C．++AQn D．AQn 14．由和非门组成基础RS触发器，要使Qn+1=1输入信号应为（ ） A．SD=RD=0 B．SD=RD=1 C．SD=1，RD=0 D．SD=0，RD=1 15．有一个稳态和一个暂稳态电路是（ ） A．多谐振荡器 B．单稳态触发器 C．施密特触发器 D．双稳态触发器 16．如题16图所表示电路，输出函数F表示式为（ ） A．F= B．F=AB C．F= D．F= 二、填空题（本大题共14小题，每小题1分，共14分） 请在每小题空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 17．场效应晶体管和双极型晶体管比较，场效应晶体管属于________控制器件。 18．场效应晶体管和双极型晶体管比较，输入电阻大是________晶体管。 19．基础共射放大电路，若使其偏置电阻RB增大(电路其它参数不变)，则ICQ将________。 20．要放大频率f=0.5Hz正弦信号，应选择________耦合放大电路。 2l．在共射放大电路中，若负载电阻RL愈大，则其电压放大倍数值______。 22．差动放大电路两个输入端信号分别为ui1和ui2，当ui1=ui2时，则为______输入信号。 23．要使放大电路输入电阻小输出电阻增大，在放大电路中应引入______负反馈。 24．正弦波振荡器起振幅值条件是________。 25．单相桥式整流电路输出平均电压为20V，负载RL=40Ω，则变压器副边电压有效值为______V。 26．组成七进制计数器最少要用_______个触发器。 27．T触发器特征方程为______。 28．逻辑函数F=A⊙B和或表示式为________。 29．二进制数(1101.1011)2转换为八进制数为______。 30．由555组成施密特触发器，若电源电压Ucc=9V，电压控制端5脚经0.01μF电容接地，则上限触发电压UT+=________V