模拟集成电路设计：CMOS无源器件 (2).pptVIP

扩散电阻 多晶硅电阻 阱区电阻 CMOS无源器件性能总结（0.8um） 元件 范围 匹配 温度系数 电压系数 MOS电容 2.2-2.7 fF/um2 0.05% 50 ppm/oC 50 ppm/V Poly-Poly电容 0.8-1.0 fF/um2 0.05% 50 ppm/oC 50 ppm/V Metal-Metal电容 0.021-0.025 fF/um2 1.5% ---------- P＋扩撒电阻 80-100 Ω/□ 0.4% 1500 ppm/oC 200 ppm/V N＋扩散电阻 50-80 Ω/□ 0.4% 1500 ppm/oC 200 ppm/V 多晶硅电阻 20-40 Ω/□ 0.4% 1500 ppm/oC 100 ppm/V N阱电阻 1-2 kΩ/□ ---------- 8000 ppm/oC 10k ppm/V 36页 表2.4-1 减小失配的版图原则 使用单位匹配，并保持相同外围条件 减小失配的版图原则 同质心设计 减小失配的版图原则 连接随机排列的重复单元，用统计方式获得高精度匹配 “50个左右的电阻单元可获得0.2％匹配度的电阻” 减小失配的版图原则 保持电容的面积/周长比（为什么？） 为什么圆形极板最好？ 电路中常见的噪声类型 人工噪声 工频噪声，射频干扰等 热噪声（Johnson noise） 由载流子的热运动产生 闪烁噪声（Fl