微电子：3集成电路工艺概览.pptVIP

第3讲集成电路工艺概览 上节课回顾 半导体材料的共同特性是对光、热和杂质非常敏感。这给了人们调控半导体材料导电能力的手段 制造各种半导体器件以及半导体器件的各部分使用不同的半导体材料 本节课以集成电路（晶体管）的制造工艺来看一下半导体工艺的主要手段和一般流程 IC工艺流程图 平面工艺的薄膜制备技术 CVD MOCVD PVD 热氧化-SiO2 化学气相淀积chemical vapor deposition -- CVD 气态物质进行化学反应从而在硅片表面上淀积薄膜 (1) 常压化学气相淀积APCVD 气压：1atm。气体分子间碰撞频率高。优点：生长速度快，薄膜均匀。 缺点：气体分子碰撞反应形成微粒，掉落在硅片表面和石英炉管中造成粉尘污染。 常用于单晶硅外延层的生长。外延层：与衬底的晶格相同的排列方式生长的硅单晶体。 (2) 低压化学气相沉积LPCVD 气压：～100Pa（10-3atm）。气体分子间碰撞频率下降。优点：均匀度极好，阶梯覆盖好。 缺点：生长速度慢。 常用于高品质多晶硅、氮化硅、氧化硅薄膜的制备。 (3) 等离子体增强化学气相沉积PECVD 在低真空条件下，利用射频(RF)、微波(MW)或电子回旋共振(ECR)等方法实现气体辉光放电，产生等离子体，增强化学反应，降低淀积温度。例如通常条件下约在850℃左右反应并沉积氮化硅，但在等离子体增强反应的条件下，