模拟电路基础试题.docxVIP

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图所示硅二极管电路中的是振幅等于的低频正弦电压该电路中电阻上的电压的波形应该为模拟电路基础测试题填空题侮题分共分结的基本特性是丨特性双极型晶体管的特征频率是指使下降为时的频率某放大器的电压增益倍该增益换算成分贝应为分贝当沟道结型场效应管内的沟道预夹断时和满足关系式在集成放大器内部电路中为了提高电压增益常采用作负载零点漂移是放大器的一个特有的现象将决定放大器的截止频率当放大器小信号模型中只有一个独立电容时该电容的将决定放大器的截止频率如果要使放大器的输入电阻增加可以采用如果要使放大器的输入电阻增加

1. 1.图1所示硅二极管电路中的 Vi(t)是振幅等于2v的低频正弦电压。该电路中,电阻 Rl上的电压Vo(t)的波形应该为() 模拟电路基础测试题 :填空题侮题1分,共15分) PN结的基本特性是丨 特性 双极型晶体管(BJT)的特征频率是指使 下降为1时的频率。 某放大器的电压增益 A =倍。该增益换算成分贝应为〕 I分贝 当N沟道结型场效应管(JFET内的沟道预夹断时, Vgs和Vds满足关系式 在集成放大器内部电路中,为了提高电压增益,常采用 作负载 零点漂移是 放大器的一个特有的现象。 将决定放大器的截止频率。当放大器小信号模型中只有一个独立电容时,该电容的 将决定放大器的截止频

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