电工学课件：7.2半导体二极管.pptVIP

7.2 半导体二极管 一. 二极管的基本结构 1. 内部结构 P N 阳极 阴极 核心部分 2. 图形符号 3. 分类 硅管 按材料 锗管 按PN结的结构 点接触型：高频小电流场合 面接触型：低频大电流场合 VD 阴极 阳极 二. 伏安特性 正向特性 特点：非线性 反向特性 反向击穿电压UBR I U A B C O 死区电压，硅0.5V，锗管0.1V 导通管压降，硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V 三. 主要参数 1.最大整流电流IFM 2.最大反向工作电压URM 二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。 二极管工作时允许加的最大反向电压，通常为击穿电压UBR的一半或三分之二。 半导体的参数是对其特性和极限应用的定量描述， 是设计电路时选择器件的主要依据。 3.最大反向电流IRM 加最大反向电压时的反向电流，此值越大，说明二极管单向导电性越差。 为了分析问题方便，用线性化的等效模型来代替二极管。 U I 1.二极管等效电路 (1)理想二极管模型 四. 二极管的应用 U 0，二极管导通，且导通管压降为0V，相当于短路。 U 0，二极管截止，相当于开路。 (2)非理想二极管模型 U Uon，二极管导通，且导通管压降为0.7V(硅管) 或0.3V(锗管)，二极管相当于0.7V或0.3V的电压源。 U I Uon Uon为导通管压降，对于硅管， Uon=0.7V，对于锗管， Uon=0.3V U Uon，二极管截止，相当于开路。 2. 应用 R VD ui ＋ - uo ＋ - 【例1】如图，已知 二极管导通管压降为0V，画出输出电压uo的波形。 ui 0V，二极管导通，且导通管压降为0V，所以输出电压uo =ui ui 0V，二极管截止，所以输出电压uo = 0V t o uo t ui o 二极管整流 + - - VD ui ＋ uo R 5V 【例2】如图，已知 二极管导通管压降为 0V，画出输出电压uo的波形。 ui 5V，二极管导通，且导通管压降为0V，所以输出电压uo = 5V ui 5V，二极管截止，输出电压uo = ui 二极管限幅 t ui o 5V 10V uo o t 5V -5V 【例3】如图，设二极管的导通管压降为0.7V，求下图所示电路的输出电压Uo。 - - VD1 Ui=10V ＋ Uo + 10kΩ VD2 1V 4V VD1优先导通，VD2截止，且导通管压降为0.7V，所以输出电压Uo=1.7V 二极管钳位 小结 2、N型半导体为电子型半导体； P型半导体为空穴型半导体。 3、PN结具有单向导电性。 4、二极管具有单向导电性。 理想二极管：导通管压降为0； 非理想二极管：（硅管）导通管压降为0.7V （锗管）导通管压降为0.3V 1、本征半导体电子和空穴成对出现，浓度相等; 五. 常用的特殊二极管 1. 稳压管 (1)稳压管的工作原理 稳压管是一种特殊的面接触型硅二极管。 U I UZ O △UZ IZ △IZ 工作在二极管的反向击穿状态，这种二极管，只要反向电流不是过大，击穿后还能恢复原来的性能。 (2)稳压管的图形符号 (3)稳压管的主要参数 ①稳定电压UZ UZ是指稳压管击穿后正常工作时，管子两端的电压值。 VS IZ 阴极 阳极 ③额定功耗PZM IZM 即 IZmax ④动态电阻rZ rZ越小，稳压性能越好。 ②稳定电流IZ IZ是稳压管正常工作时的参考电流。电流小于此值时，稳压二极管将失去稳压作用。也记作IZmin (4)稳压管的稳压条件 稳压管正向工作时和普通二极管的特性完全相同。 必须加反向电压； 流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。 注意！ (5)稳压管的应用 典型电路 + + - - I IZ IL RL为负载电阻，R为限流电阻，当UI变化时，由于稳压管的作用，输出UO不变。 + + - - I IZ IL 【例4】如图，已知稳压管的稳定电压UZ=10V，最大稳定电流IZM=15mA，限流电阻R =500Ω, 负载电阻RL =1kΩ, 当Ui =20V 时，求(1)R上的电流I、负载电流IL、稳定电流IZ及输出电压Uo; (2) IZ 是否超过IZM？ 解： (1) 输出电压Uo = UZ = 10V R上的电流 负载电流 稳定电流 (2) IZ 没有超过IZM 【例5】如图，已知稳压管VS1的稳压值为8V，稳压管VS2的稳压值为6V，正向压降均为0.7V, 求输出电压Uo。 - - VS1 20V ＋ Uo + R VS2 (a)