电工学课件：7.1半导体基础知识（材）.pptVIP

第七章 半导体器件 内容提要 半导体器件是电子电路的核心器件。本章首先介绍了半导体的基本知识，然后讲述了两种常用半导体器件（半导体二极管、半导体三极管）的工作原理和基本特性。本着“管为路用”的原则，在了解其基本原理的基础上，重点掌握它们的应用。 7.1 半导体基础知识 导体：金属一般都是导体。 绝缘体(电介质)：如橡胶、塑料和陶瓷等。 半导体：导电特性介于导体和绝缘体之间，如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物等。 物体 7.1.1 半导体的导电特性 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等)。 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成热敏元件，如热敏电阻)。 一. 半导体的主要特征 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显改变(可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管等）。 完全纯净的具有晶体结构的半导体称为本征半导体。 二. 本征半导体 Ge Si 制作半导体器件的主要材料是硅和锗，它们的最外层电子（价电子）都是四个。 硅或锗的共价键结构 共价键 价电子共有化，形成共价键的晶体结构 1. 内部结构 在绝对0度（T=0K）和没有外界激发时, 半导体相当于绝缘体。 2. 导电机理 电子-空穴对的形成 半导体中有两种载流子:自由电子和空穴 自由电子 空穴 常温下 在外电场作用下，电子的定向移动形成电流 + + + + + + + + - - - - - - - - 外电场 + + + + + + + + - - - - - - - - 外电场 在外电场作用下，空穴的定向移动形成电流 电子电流和空穴电流相等，它们之和为总的导电 电流。 注意： (3) 由于热激发可产生电子和空穴，因此本征半导体的导电特性和温度有关，对温度很敏感。 (1) 本征半导体中载流子为电子和空穴; (2) 电子和空穴成对出现，浓度相等； 三.杂质半导体 1. N型半导体 在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），就形成了N型半导体。 电子---多子； 空穴---少子。 2. P型半导体 在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），就形成了P型半导体。 空穴---多子； 电子---少子。 杂质半导体的表示方法 P型半导体 N型半导体 注意 杂质半导体中，多子的浓度取决于掺杂原子的浓度；少子的浓度取决于温度。 (4) 在外加电压的作用下，P 型半导体中的 电流主要是 ，N 型半导体中的电流主要是 。 （a. 电子电流、b.空穴电流） (3) 当温度升高时，少子的数量 （a. 减少、b. 不变、c. 增多）。 a b c (1) 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 (2) 在杂质半导体中少子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。 b a 一. PN结的形成 P区 N区 7.1.2 PN结 在交界面，由于两种载流子的浓度差，出 现多子的扩散运动。 N区 P区 在交界面，由于多子的扩散运动,经过复合,出现空间电荷区（又称耗尽层），形成内电场。 空间电荷区 N区 P区 内电场 当多子的扩散与少子的漂移达到动态平衡（扩散电流等于漂移电流），形成PN结。 PN结 N区 P区 内电场 (3) 当扩散运动与漂移运动达到动态平衡时，形成PN结。 (1) 由于扩散运动形成空间电荷区和内电场; (2) 内电场阻碍多子扩散，有利于少子漂移; 二. PN结的单向导电性 1.外加正向电压 P区接电源正极，N区接电源负极，又称正向偏置。 U 内电场 外电场 外电场削弱内电场，多子的扩散加强,使耗尽层变窄，形成较大的扩散电流，PN结导通。 U 外电场加强内电场，多子的扩散受抑制，少子漂移加强，使耗尽层变宽 。但少子数量有限，只能形成较小的反向电流，PN结截止。 U 2. 外加反向电压(反向偏置)