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第一章 半导体物理基础 能带： 1-1 什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？ 1-2 试定性说明 Ge、Si 的禁带宽度具有负温度系数的原因。 1-3、试指出空穴的主要特征及引入空穴的意义。 E (k) 和价带极大值附近能量 E (k) 分 1-4、设晶格常数为 a 的一维晶格，导带极小值附近能量 c v 别为： E (k) 2k 2 ＋ 2 ( k k1 )2 和 E (k ) 2 k12 － 3 2k 2 ；m0 为电子惯性质量， k ；a＝ C 3m0 m0 v 6m0 m0 1 a 0.314nm， 1.054 10 34 J s ， m0 9.1 10 31 Kg ， q 1.6 10 19C 。 试求： ①禁带宽度；②导带底电子有效质量；③价带顶电子有效质量。 题解： 1-1、 解：在一定温度下，价带电子获得足够的能量（≥ Eg）被激发到导带成为导电电子的过程就是本征激发。其结果是在半导体中出现成对的电子 -空穴对。如果温度升高，则禁带宽度变窄，跃迁所需的能量变小，将会有更多的电子被激发到导带中。 1-2、 解：电子的共有化运动导致孤立原子的能级形成能带，即允带和禁带。温度升高，则电子的共有化运动加剧，导致允带进一步分裂、变宽；允带变宽，则导致允带与允带 之间的禁带相对变窄。反之，温度降低，将导致禁带变宽。因此， Ge、Si 的禁带宽度