半导体器件物理(第二版)第二章答案[共20页].docVIP

PAGE 1 2-1． P N 结空间电荷区边界分别为 导出 表达式。给 p (x ) n n 解：在 x x D ,又因为 V 作用下, PN 结 N 侧 FP EFP 4 10 cm ,在室温下计算： ( с零) 偏压下最大内建电场为 2–6．推导出线性缓变 PN 结的下列表示式： （a）电场（ b）电势分布（ c）耗尽层宽度（ d） ax 积分为 时 , N N ax N 2-7．推导出 N N 结（常称为高低结）内建电势表达式。 + ）,于是 区中电子向 N 区扩散,在结 = V ln V ln 2-8．（a）绘出图 2-6a 中 尽层的宽度和 VR 的关系曲线与单边突变结的情况相符。 a 的情况,重复（ ）并证明这样的结在小 2-9． 对于图 2-6（b）的情况, 重温习题 2-8。2–10．（a）PN 结的空穴注射效率定义为在 x 0 处的 I / I ,证明此效率可写成 即 受主杂质浓度远大与施主杂质浓度。 2-11．长 PN 结二极管处于反偏压状态,求： 和 p ( x) ,并画出它们的分布示意图。 （1）解扩散方程求少子分布 n (x) （3）证明反向电流 I I 为 PN 结扩散区内的载流子产生电流。 0 代入（ 1）： 这是 N 区少子空穴扩散区内的贮存电荷, Q 0 说明贮存电荷是负的,这是反向 p Q 0 说明贮存电荷是正的（电子被抽取,出现正的电离施 n L ,L 的扩散区内,则 U 0 ,可见 G= -U 0 ,则空穴扩散区内少子产生率为 可见, PN 结反向电流来源于扩散区内产生的非平衡载流子。 2-12． 若 PN 结边界条件为 x w 处 p p , x n n w 。其中 和 分别与 po p p (x) 以及 I ( x) 、 I (x) 的表达式。 L 与 L 具有相同的数量级,求 n (x)、 )( 令= A), x = -x p L 即长 PN 结： （此即长 PN 结中少子分布） 若取 x = 0 (x+x ) Ln n - n = n (e -1)(1+ （取 -x = 0 ） p 2–13．在 P N 结二极管中, qS p A（ S 为表面复 n 解：连续方程 D 由边界条件 p 0 p e qS p A 得 讨论 S=0：x=0, pn p (e X= W , p N 10 cm 以及 （a）求在 V 1 和5V 时的二极管的电容。 （注： （密耳）为长度单位, 1 10 10 (b) 当谐振频率和控制电压有线性关系时 4.38 10 2-16．用二极管恢复法测量 P N 二极管空穴寿命。 2mA,在具有 0.1ns上升时间的示波器上测得 10ns上升时间较慢的示波器, 2-17． P N 结杂质分布 N ＝常数, N N e ,导出 解：设 x = x 为 N 侧 SCR 的边界,对于 P N 结,SCR 的宽度为 W x L (0) 且取 (x ) 0 ,则 n 二极管导纳,假设在 x w x W（表面复合速度无穷大） n 0.5V 的正向电压下,当温度从 25 C 上升到 150 C 时,计算 电流增加的倍数。假设 I I e ,且 每 10 C 增加一倍。 eVq 2–20．采用电容测试仪在 1MHZ 测量 GaAs p n 结二极管的电容反偏压关系。 下面是 12.4,11.6,11.1,10.5,10.1,9.8。计算 和 N 。二极管的面积为 4 10 cm 。 近似解为 ts 2–22．在硅中当最大电场接近 10 V / cm 时发生齐纳击穿。假设在 侧 11.9 8.85 10 F/cm 10 V /cm 科教兴国