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2-1. P N 结空间电荷区边界分别为 导 出 表达式。给
p (x )
n n
解:在 x x
D ,又因为
V 作用下, PN 结 N 侧
FP
2
EFP
4 10 cm
,在室温下计算:
( с零) 偏压下最大内建电场为
3
4
2 –6.推导 出线性缓变 PN 结的下列表示式: (a 电场 (b 电势分布( c)耗尽层宽度( d
ax 积分为
5
时 , N N ax N
2-7.推导 出 N N 结 (常称为高低结)内建电势表达式。
+
,于是 区中电子向 N 区扩散,在结
= V ln
V ln
2-8.(a 绘出图 2-6a 中
尽层的宽度和 VR 的关系曲线与单边突变结的情况相符。
a
的情况,重复( )并证明这样的结在小
2-9. 对于图 2-6 (b)的情况,重温习题 2-8。2 –10.(a PN 结的空穴注射效率定义为在 x 0
6
的 I / I ,证明此效率可写成
即 受主杂质浓度远大与施主杂质浓度。
2-11.长 PN 结二极管 于反偏压状态
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