栓锁效应应和布局规则.pptVIP

回回呵回回呵回呵叵回呵呵呵回回回回回回回回回回回回回回回回回回回回回回回回 目1C工艺和版图设计 第八章1 atch-up和( guarding设计 UNI 主讲:黄炜炜 Email:hww@hqu.edu.cn 回_华侨大学信息学院电子工程系厦门专用集成电路系统重点实验室 参考文献 Alan hastings著.张为译.模拟电路版 图的艺术.第二版.电子工业出版社.CH13 华侨大学厦门专用集成电眙系统重点实验室 Copyright by Huang Weiwei 本章主要内容 Latch-up原理分析 CH8 Latch-up的防护 GuardRing 华侨大学厦门专用集成电眙系统重点实验室 Copyright by Huang Weiwei atch-up原理分析 cMOS电路中在电源VDD和地线GND之 间由于寄生的PNP和NPN相互影响可能会产生 的一低阻抗通路,使VDD和GND之间产生大 电流,这就称为闩锁效应( latch up)。 随着|C制造工艺的发展,集成度越来越 高,产生 latch up的可能性会越来越高。 华侨大学厦门专用集成电眙系统重点实验室 Copyright by Huang Weiwei atch-up原理分析 Out N邙4世 Out P-epi P+sub 华侨大学厦门专用集成电眙系统重点实验室 Copyright by Huang