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现代检测技术导论 第三章物理量检测与传感器 3.1检测仪器研制流程 32半导体压阻式传感器 Hlelei lusritutes of piig. l CAIS  3.1检测仪器研制流程 ●任务分析(用专业术语描述用户需求) ●调研(国内外情况、各种技术对比、技术难点) ●形成设计思路(工作原理、创新点、可行性) ●提出工作计划(设计方案、人员安排、时间进度) 具体实施(理论分析与实验验证相结合) 测试验收(满足用户需求) Hlelei lusritutes of piig. l CAIS  3.2半导体压阻式传感器 3.2.1压阻效应与检测电桥 半导体单晶硅材料在受到外力作用产生应变时,电 阻率发生变化,由其材料制成的电阻也就出现电阻变化 这种物理效应叫压阻效应。 △R =丌1O1+丌,O R 纵向压阻系数 横向压阻系数 纵向应力 横向应力 Hlelei lusritutes of piig. l CAIS  压阻系数分量 应力方向电流方向AR/Rσ 纵向|100 100 110 110 x IT 2+T4)2 111 111 (T1+2T12+2T4)/3 横向100 010 110 110 (T1+T12T4)/2 Hlelei lusritutes of piig. l CAIS